2 MeV He+离子注入修复太赫兹发射源

摘要

为修复因加载过高外置偏压而被击穿的太赫兹光电导天线的发射晶体,采用离子注入法对光电导间隙区域进行了2 MeV He+离子注入处理.经过1016 ions/cm2 He+璃子处理后,光电导天线的电阻由约800 Ω变为60 MΩ,基本恢复到了击穿前的水平.通过对比辐照前后太赫兹发射源在空气气氛中的时域谱和频域谱,发现离子辐照后太赫兹信号强度有了十分明显的增强,时域光谱峰值信号电流由辐照前的2 nA增加到了辐照后的8 nA,峰值功率增幅超过了一个量级,且发现处理后光电导天线的频谱相对于辐照前有了明显的展宽.