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王悦湖; 张书霞; 张义门; 张玉明;
中国电子学会;
碳化硅; 晶体生长技术; 同质外延; 结构表征;
机译:倾斜角为1度的4H-SiC C面外延层的同质外延生长和堆垛层错研究
机译:低温同质外延生长产生的p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:低温同质外延生长产生p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:低压热壁化学气相沉积法制备4H-SiC外延层的同质外延生长和表征
机译:表面活性剂控制通过有机金属气相外延生长的磷化铟镓和砷化镓外延层的表面过程。
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:低压热壁化学气相沉积4H-siC外延层的同质外延生长及表征
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:低轴外SiC晶片上SiC的同质外延生长
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