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孙国胜; 宁瑾; 高欣; 攻全成; 王雷; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽;
中国科学院半导体研究所;
4H—SiC; 同质外延生长; 肖特基二极管;
机译:外延生长4H-SiC上的Ti肖特基二极管的表征
机译:通过升华生长的He〜+辐照的基于4H-SiC外延层的Ni肖特基二极管的特性
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响
机译:同质外延4H-SiC的特性和Ti / 4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
机译:外延生长的砷化semi半金属的生长和使用以增强III-V肖特基二极管和隧道结的性能
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响
机译:具有4H-SiC n型外延层的肖特基势垒检测器件
机译:碳化硅组件,特别是肖特基二极管,是通过在外延层的高温生长之前形成欧姆接触来生产的
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