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第1章绪论
第2章4H-SiC同质外延材料的制备及检测
第3章高压4H-SiC肖特基势垒二极管的理论分析
第4章高压4H-SiC SBD结终端技术研究
第5章高压4H-SiC SBD器件的研制
结论
参考文献
致谢
附录
张发生;
湖南大学;
SiC材料; 肖特基二极管; 同质外延薄膜; 结构表征; 制造工艺; 化学气相淀积;
机译:4H-SiC(0001)外延层中向内生长的堆叠缺陷的表征及其对高压肖特基势垒二极管的影响
机译:基于MOCVD生长的同质外延β-Ga2O3薄膜的日光肖特基光电二极管
机译:基于硼掺杂同质外延金刚石薄膜的肖特基二极管的电学表征
机译:同质外延4H-SiC的特性和Ti / 4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
机译:同质外延和多晶金刚石薄膜的电性能和器件应用。
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:4H-siC同质外延层堆垛层错特性的阴极发光研究
机译:具有4H-SiC n型外延层的肖特基势垒检测器件
机译:在例如制造中在半导体衬底上制造外延层。肖特基二极管,通过提供衬底,形成与种子层外延工艺接触的外延层,并调节各层的晶格参数
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