机译:倾斜角为1度的4H-SiC C面外延层的同质外延生长和堆垛层错研究
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
ROHM Co Ltd, Kyoto 6158585, Japan.;
ROHM Co Ltd, Kyoto 6158585, Japan.;
Panasonic Corp, Uozu, Toyama 9378585, Japan.;
Toshiba Co Ltd, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan.;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo 1858601, Japan.;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
机译:通过三卤化物气相外延和高速晶片旋转,在无缓冲层的4度偏轴Si和C面4H-SiC上进行GaN外延生长
机译:GaN在4度的轴外轴和C脸4H-SiC上外延生长,无缓冲层通过具有高速晶片旋转的三卤化气相外延
机译:使用双三甲基甲硅烷基甲烷前体在4度偏轴Si和C面衬底上生长4H-SiC外延层的比较研究
机译:基于平面脱位转化为带有邻近偏角的4H-SiC基板上外延层的螺纹边缘位错
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:影响3C夹杂物发生的因素的调查用于轴上的轴C面4H-SIC外延层
机译:在具有1°偏角的4H-siC si面同质外延层生长期间抑制3C-夹杂物形成