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Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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1.
Reciprocal space mapping studies of the initial stage of the PVT growth of 4H-SiC crystals parallel and perpendicular to the c-axis
机译:
互易空间映射研究对4H-SiC晶体的PVT生长的初始阶段平行,垂直于C轴
作者:
Chikashi Ohshige
;
Tatsuya Takahashi
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Tatsuo Fujimoto
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Takayuki Yano
;
Hirofumi Matsuhata
;
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
reciprocal space mapping;
PVT growth;
a-face growth;
defect formation;
2.
Defects grouping and characterizations of PL-imaging methods for 4H-SiC epitaxial layers
机译:
4H-SIC外延层的PL-成像方法的分组和特写
作者:
M. Odawara
;
K. Kamei
;
Y. Miyasaka
;
T.Yamashita
;
S. Takahashi
;
Y. Kageshima
;
K. Momose
;
H. Osawa
;
T. Sato
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon carbide(SiC);
Stacking faults(SFs);
PL-imaging;
Epitaxial specification;
l-V curve;
3.
Development of Multi-wire Electric Discharge Machining for SiC Wafer Processing
机译:
SiC晶片加工多线电气放电加工的研制
作者:
Masumi Ogawa
;
Kei Mine
;
Seiki Fuchiyama
;
Yasuhiro Tawa
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Electric Discharge Machining (EDM);
Wafer processing;
Silicon Carbide;
4.
Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer
机译:
使用磷掺杂和结晶无定形硅中间层的N型4H-SiC的Al欧姆触点的性质
作者:
Hiroaki Hanafusa
;
Akio Ohta
;
Ryuuhei Ashihara
;
Keisuke Maruyama
;
Tsubasa Mizuno
;
Shohei Hayashi
;
Hideki Murakami
;
Seiichiro Higashi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
amorphous Silicon;
ohmic contact;
hetero-junction;
5.
Deep-Level Transient Spectroscopy Characterization of Interface States in SiO_2/4H-SiC Structures Close to the Conduction Band Edge
机译:
近距离导通带边缘的SiO_2 / 4H-SIC结构中接口状态的深层瞬态光谱表征
作者:
T. Hatakeyama
;
M. Sometani
;
K. Fukuda
;
H. Okumura
;
T. Kimoto
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiO_2/SiC;
MOS;
interface;
trap;
DLTS;
SiC;
mobility;
interface state;
CCDLTS;
DLTFS;
6.
Ti/AI/Si Ohmic Contacts for Both n-Type and p-Type 4H-SiC
机译:
用于N型和P型4H-SIC的TI / AI / SI欧姆触点
作者:
Hideto Tamaso
;
Shunsuke Yamada
;
Hiroyuki Kitabayashi
;
Taku Horii
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Ohmic Contact;
Contact Resistance;
Auger Electron Spectroscopy;
Depth Profiles;
4H-SiC;
7.
SiC power devices operation from cryogenic to high temperature: investigation of various 1.2kV SiC power devices
机译:
SIC电源装置从低温到高温的操作:各种1.2kV SIC电源装置的研究
作者:
Thibaut CHAILLOUX
;
Cyril CALVEZ
;
Nicolas THIERRY-JEBALI
;
Dominique PLANSON
;
Dominique TOURNIER
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
BJT;
MOSFET;
JFET;
cryogenic temperature;
high temperature;
8.
Degradation of SiO_2/SiC interface properties due to mobile ions intrinsically generated by high-temperature hydrogen annealing
机译:
由于高温氢退火的本质上产生的移动离子,SiO_2 / SiC界面性能的降解
作者:
Atthawut Chanthaphan
;
Takuji Hosoi
;
Yuki Nakano
;
Takashi Nakamura
;
Takayoshi Shimura
;
Heiji Watanabe
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
MOS device;
mobile ion;
bias-temperature instability;
forming gas annealing;
interface state density;
9.
Novel Gate Oxide Process for Realization of High Threshold Voltage in 4H-SiC MOSFET
机译:
用于实现4H-SIC MOSFET中高阈值电压的新型栅极氧化物过程
作者:
Masayuki Furuhashi
;
Toshikazu Tanioka
;
Masayuki Imaizumi
;
Naruhisa Miura
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
MOSFET;
Threshold voltage;
Channel mobility;
10.
A proposal to apply effective acceptor level for representing increased ionization ratio of Mg acceptors in extrinsically photon-recycled GaN
机译:
用于应用有效受体水平的提议,用于在外部光子再循环的GaN中提高MG受体的电离比例
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Tomoyoshi Mishima
;
Yuya Ishida
;
Yoshitomo Hatakeyama
;
Kazuki Nomoto
;
Naoki Kaneda
;
Tadayoshi Tsuchiya
;
Akihisa Terano
;
Tomonobu Tsuchiya
;
Hiroyuki Uchiyama
;
Shigehisa Tanaka
;
Tohru Nakamura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
magnesium;
ionization;
photon recycling;
GaN;
11.
Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in n-channel 4H-SiC MOSFETs
机译:
N沟道4H-SIC MOSFET中运输特性表征的霍尔因子计算
作者:
V. Uhnevionak
;
A. Burenkov
;
C. Stronger
;
V. Mortet
;
E. Bedel-Pereira
;
F. Cristiano
;
A. J. Bauer
;
P. Pichler
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
n-channel 4H-SiC MOSFETs;
Hall-effect measurements;
Hall factor;
12.
Monolithic Integration of Power MESFET for High Temperature SiC Integrated Circuits
机译:
高温SIC集成电路电力MESFET的单片集成
作者:
Viorel Banu
;
Josep Montserrat
;
Mihaela Alexandru
;
Xavier Jordà
;
José Millán
;
Philippe Godignon
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
high temperature;
power MESFET;
lateral MESFET;
planar integrated circuits;
13.
Blocking Characteristics of 2.2 kV and 3.3 kV -class 4H-SiC MOSFETs with Improved Doping Control for Edge Termination
机译:
堵塞特性为2.2 kV和3.3 kV-Class 4H-SiC MOSFET,具有改进的边缘终端掺杂控制
作者:
Keiji Wada
;
Kosuke Uchida
;
Ren Kimura
;
Mitsuhiko Sakai
;
Satoshi Hatsukawa
;
Kenji Hiratsuka
;
Noriyuki Hirakata
;
Yasuki Mikamura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
MOSEFET;
high voltage;
edge termination;
field-limiting ring;
14.
Dislocation revelation for 4H-SiC by using vaporized NaOH: a possible way to distinguish edge, screw and mixed threading dislocations by etch pit method
机译:
通过汽化的NaOH:通过蚀刻坑法来区分边缘,螺钉和混合穿线脱位的可能方法
作者:
Yong-zhao Yao
;
Yukari lshikawa
;
Yoshihiro Sugawara
;
Koji Sato
;
Katsunori Danno
;
Hiroshi Suzuki
;
Hidemitsu Sakamoto
;
Takeshi Bessho
;
Satoshi Yamaguchi
;
Koichi Nishikawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
alkali vapor etching;
NaOH;
etch pit;
mixed c+a dislocation;
X-ray topography;
15.
Dicing of SiC wafer by atmospheric-pressure plasma etching process with slit mask for plasma confinement
机译:
用大气压等离子体蚀刻工艺切割SiC晶片,用狭缝掩模进行等离子体约束
作者:
Yasuhisa Sano
;
Hiroaki Nishikawa
;
Yu Okada
;
Kazuya Yamamura
;
Satoshi Matsuyama
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
cutting;
dicing;
atmospheric-pressure plasma;
slit aperture;
plasma etching;
16.
Reliability Performance of 1200 V and 1700 V 4H-SiC DMOSFETs for Next Generation Power Conversion Applications
机译:
用于下一代电源转换应用的1200 V和1700 V 4H-SIC DMOS的可靠性性能
作者:
Donald A. Gajewski
;
Sei-Hyung Ryu
;
Mrinal Das
;
Brett Hull
;
Jonathan Young
;
John Palmour
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
MOSFET;
DMOSFET;
reliability;
power;
17.
Research of Silver Sintering Process and Reliability for High Temperature Operation of SiC Power Devices
机译:
SiC电源装置高温运行的银烧结工艺及可靠性研究
作者:
Z. Zhang
;
T. Hanada
;
T. Nakamura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
silver paste;
sintering;
die attachment;
18.
Experimental studies on water vapor plasma oxidation and thermal oxidation of 4H-SiC (0001) for clarification of the atomic-scale flattening mechanism in plasma assisted polishing
机译:
4H-SiC(0001)水蒸气等离子体氧化和热氧化的实验研究,以澄清等离子辅助抛光中原子尺度扁平机制的阐明
作者:
Hui Deng
;
Katsuyoshi Endo
;
Kazuya Yamamura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
Oxidation;
Cross-sectional TEM;
Polishing;
19.
Investigation of the Barrier Heights for Dissociative Adsorption of HF on SiC Surfaces in the Catalyst-Referred Etching Process
机译:
催化剂引用蚀刻工艺中SiC表面分离的阻隔高度的调查
作者:
Pho Van Bui
;
Kouji lnagaki
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
;
Yoshitada Morikawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Catalyst-referred etching;
SiC;
HF solution;
First-principles reaction path simulations;
20.
Evaluation of SiC Stack Cascode for 200°C Operations
机译:
SIC堆栈CASCODE评估200°C操作
作者:
Xueqing Li
;
Petre Alexandrov
;
John Hostetler
;
Anup Bhalla
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC JFET;
Stack Cascode;
UIS capability;
Switching Test;
Gate Charge;
and HTRB;
21.
First Principles Investigation of Divacancy in SiC Polytypes for Solid State Qubit Application
机译:
固态量QUAT申请SiC Polytype中的初始原理研究
作者:
K. Szász
;
V. lvády
;
E. Janzén
;
A. Gali
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
hyperfine coupling;
zero-field splitting;
photoluminescence;
optically detected magnetic resonance;
solid state quantum bit;
22.
Characterization of Ohmic Ni/Ti/AI and Ni Contacts to 4H-SiC from -40°C to 500°C
机译:
欧姆Ni / Ti / Ai和Ni触点的表征在-40°C至500°C中的4h-SiC触点
作者:
K. Smedfors
;
L. Lanni
;
M. ?stling
;
C.-M. Zetterling
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Contacts;
TLM;
23.
Formation of an interfacial buffer layer for 3C-SiC heteroepitaxy on AIN/Si substrates
机译:
在AIN / Si衬底上形成3C-SiC杂藻的界面缓冲层
作者:
K. Meguro
;
T. Narita
;
K. Noto
;
H. Nakazawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
cubic silicon carbide;
heteroepitaxy;
monomethylsilane;
aluminum nitride;
24.
Depletion-mode TDDB for n-type MOS capacitors of 4H-SiC
机译:
N型MOS电容器的耗尽模式TDDB为4H-SIC
作者:
Tomokatsu Watanabe
;
Shiro Hino
;
Yuji Ebiike
;
Naruhisa Miura
;
Masayuki Imaizumi
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
MOS;
TDDB;
dislocation;
25.
The influence of the carbonization mechanisms on the crystalline quality of the carbonization layer for heteroepitaxial growth of 3C-SiC
机译:
碳化机制对3C-SIC杂交生长的碳化层晶体质量的影响
作者:
Yukimune Watanabe
;
Tsuyoshi Horikawa
;
Kiichi Kamimura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
3C-SiC;
carbonization mechanism;
ultra high vacuum CVD;
cross-sectional TEM;
selected area electron diffraction (SAED);
26.
Designing and Fabrication of the VLD Edge Termination for 3.3 kV SiC SBD
机译:
3.3 kV SIC SBD的VLD边缘终端设计和制造
作者:
Kohei Ebihara
;
Yasuki Yamamoto
;
Yoshiyuki Nakaki
;
Sunao Aya
;
Shuhei Nakata
;
Masayuki lmaizumi
;
Yoshihiko Toyoda
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
VLD (Variation of Lateral Doping);
edge termination;
27.
Epitaxial Growth of Thick Multi-Layer 4H-SiC for the Fabrication of Very High-Voltage C-Face n-Channel IGBT
机译:
厚多层4H-SiC的外延生长,用于制造非常高压C面部N沟道IGBT
作者:
Tetsuya Miyazawa
;
Shi-yang Ji
;
Kazutoshi Kojima
;
Yuuki Ishida
;
Koji Nakayama
;
Atsushi Tanaka
;
Katsunori Asano
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
epitaxial growth;
IGBT;
high voltage;
carrier lifetime;
28.
Measurement of Critical Thickness for the Formation of Interfacial Dislocations and Half Loop Arrays in 4H-SiC Epilayer via X-ray Topography
机译:
通过X射线形貌在4H-SiC脱晶中形成界面脱位和半环阵列的临界厚度的测量
作者:
Huanhuan Wang
;
Fangzhen Wu
;
Michael Dudley
;
Balaji Raghothamachar
;
Gil Chung
;
Jie Zhang
;
Bernd Thomas
;
Edward K. Sanchez
;
Stephan G. Mueller
;
Darren Hansen
;
Mark J. Loboda
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
Epitaxial growth;
Interfacial dislocations;
Half-loop arrays;
3C polytype;
29.
Selection of SPICE Parameters and Equations for Effective Simulation of Circuits with 4H-SiC Power MOSFETs
机译:
选择Spice参数和方程,用于使用4H-SIC功率MOSFET进行电路的有效模拟
作者:
Philip Tanner
;
Sima Dimitrijev
;
Hamid Amini Moghadam
;
Amirhossein Aminbeidokhti
;
Jisheng Han
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
power;
MOSFET;
SPICE;
4H-SiC;
30.
Evaluation of degradation due to electron irradiation of Si_(1-x)C_x S/D n-type MOSFETs
机译:
Si_(1-x)C_X S / D n型MOSFET的电子照射引起的降解评价
作者:
Masato Hori
;
Yuki Asai
;
Masashi Yoneoka
;
Isao Tsunoda
;
Kenichiro Takakura
;
Toshiyuki Nakashima
;
Mireia Bargallo Gonzalez
;
Eddy Simoen
;
Cor Claeys
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC device;
Electron irradiation;
Degradation mechanism;
31.
Investigation on Internally Unbalanced Switching Behavior for Realization of 1-cm~2 SiC-MOSFET
机译:
1-cm〜2 SiC-MOSFET实现内部不平衡切换行为的研究
作者:
Shiro Hino
;
Masanao lto
;
Naruhisa Miura
;
Masayuki Imaizumi
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC-MOSFET;
Large Chip;
Switching;
32.
Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
机译:
快速成熟的SiC结晶体管,具有电流增益(β)> 130,电压可达2700 V且稳定的长期操作
作者:
S.G. Sundaresan
;
S. Jeliazkov
;
B. Grummel
;
R. Singh
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC BJT;
Current Gain;
Breakdown Voltage;
On-Resistance;
Ultrafast Switching;
33.
Inverter-rectifier using SiC power devices for bidirectional wireless power transfer system of electric vehicles
机译:
逆变器整流器使用电动车辆双向无线电力传输系统的SIC电源装置
作者:
Michihiro Hachisuka
;
Takuya Fukuhara
;
Yasuyoshi Kaneko
;
Shigeru Abe
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Inverter-rectifier;
wireless power transfer;
bidirectional;
electric vehicles;
34.
Effects of the growth rate on the quality of 4H silicon carbide films for MOSFET applications
机译:
生长率对MOSFET应用的4H碳化硅膜质量的影响
作者:
M. Camarda
;
S. Privitera
;
R. Anzalone
;
N. Piluso
;
P. Fiorenza
;
A. Alberti
;
G. Pellegrino
;
A. La Magna
;
F. La Via
;
C. Vecchio
;
M. Mauceri
;
G. Litrico
;
A. Pecora
;
D. Crippa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
surface morphology;
growth rate;
density of interface state traps;
35.
Estimation of surface recombination velocities for n-type 4H-SiC surfaces treated by various processes
机译:
各种方法处理的N型4H-SiC表面的表面重组速度估计
作者:
Yuto Mori
;
Masashi Kato
;
Masaya Ichimura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
surface recombination velocity;
carrier lifetime;
μ-PCD method;
36.
Comparison of Thermodynamic Databases for the Modeling of SiC Growth by PVT
机译:
热力学数据库对PVT模拟SIC增长的比较
作者:
Kanaparin Ariyawong
;
Elisabeth Blanquet
;
Jean-Marc Dedulle
;
Thierry Ouisse
;
Didier Chaussende
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
PVT;
thermodynamic databases;
equilibrium vapor pressure;
modeling;
37.
Simulation Study of High-Speed Wafer Rotation Effects in a Vertical Reactor for 4H-SiC Epitaxial Growth on 150 mm Substrates
机译:
垂直反应器中高速晶片旋转效应的仿真研究,在150mM基板上进行4H-SIC外延生长
作者:
M. lto
;
H. Fujibayashi
;
H. Ito
;
I. Kamata
;
M. Naito
;
K. Hara
;
S. Yamauchi
;
M. Yajima
;
S. Mitani
;
K. Suzuki
;
H. Aoki
;
K. Nishikawa
;
T. Kozawa
;
H. Tsuchida
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
simulation;
epitaxial growth;
wafer rotation;
large diameter;
38.
Silicon carbide field effect transistors for detection of ultra-low concentrations of hazardous volatile organic compounds
机译:
用于检测超低浓度的危险挥发性有机化合物的碳化硅场效应晶体管
作者:
Donatella Puglisi
;
Jens Eriksson
;
Christian Bur
;
Andreas Schütze
;
Anita Lloyd Spetz
;
Mike Andersson
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon carbide;
MISFET;
Gas sensors;
Volatile organic compounds;
Indoor air quality;
39.
HCl assisted growth of thick 4H-SiC epilayers for bipolar devices
机译:
HCl为双极器件辅助4H-SiC脱落剂的生长
作者:
Birgit Kallinger
;
Christian Ehlers
;
Patrick Berwian
;
Mathias Rommel
;
Jochen Friedrich
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC epitaxy;
CVD;
chloride assisted growth;
carrier lifetime;
40.
Conversion of basal plane dislocations to threading edge dislocations in growth of epitaxial layers on 4H-SiC substrates with a vicinal off-angle
机译:
基于平面脱位转化为带有邻近偏角的4H-SiC基板上外延层的螺纹边缘位错
作者:
Keiko Masumoto
;
Sachiko Ito
;
Hideto Goto
;
Hirotaka Yamaguchi
;
Kentaro Tamura
;
Chiaki Kudou
;
Johji Nishio
;
Kazutoshi Kojima
;
Toshiyuki Ohno
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
epitaxial layer;
vicinal;
off-angle;
KOH etching;
basal plane dislocation;
41.
Simulations of SiC CVD - Perspectives on the need for surface reaction model improvements
机译:
SIC CVD的模拟 - 表面反应模型改进的需要
作者:
?rjan Danielsson
;
Olof Kordina
;
Erik Janzén
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Epitaxial growth;
Chemical Vapor Deposition;
Modeling;
Simulation;
Surface chemistry;
42.
Revisiting the Thermochemical Database of Si-C-H System Related to SiC CVD Modeling
机译:
重访与SiC CVD建模相关的SI-C-H系统的热化学数据库
作者:
Pitsiri Sukkaew
;
Lars Ojam?e
;
?rjan Danielsson
;
Olof Kordina
;
Erik Janzén
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Thermochemical data;
CVD modeling;
organosilicon;
43.
40 mΩ /1700 V DioMOS (Diode in SiC MOSFET) for High Power Switching Applications
机译:
用于高功率开关应用的40MΩ/ 1700 V Diomos(SIC MOSFET中的二极管)
作者:
A. Ohoka
;
N. Horikawa
;
T. Kiyosawa
;
H. Sorada
;
M. Uchida
;
Y. Kanzawa
;
K. Sawada
;
T. Ueda
;
E. Fujii
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
MOSFET;
diode;
DioMOS;
epitaxial channel;
44.
SiC Current Limiting FETs (CLFs) for DC applications
机译:
用于直流应用的SiC电流限制FET(CLFS)
作者:
Dominique Tournier
;
Philippe Godignon
;
Shiquin Niu
;
Jean-Fran?ois de Palma
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Current Limiting Device;
serial protection;
short-circuit;
45.
Improved Analytical Expressions for Avalanche Breakdown in 4H-SiC
机译:
改进了4H-SIC雪崩分解的分析表达
作者:
Zachary Stum
;
Yi Tang
;
Harsh Naik
;
T. Paul Chow
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
silicon carbide;
avalanche;
impact ionization;
46.
Silicon Carbide Transistors for IC Design Applications up to 600 °C
机译:
用于IC设计应用的碳化硅晶体管高达600°C
作者:
A. Maralani
;
W.-C. Lien
;
N. Zhang
;
A. P. Pisano
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
600 °C;
Analog;
BJT;
High Temperature;
JFET;
Low Power;
Sensor;
SiC;
47.
SiC Power Module for Compact Power Conversion Equipment
机译:
用于小型电源转换设备的SIC电源模块
作者:
K. Yamashita
;
K. Kato
;
H. Ikeuchi
;
J. Tanaka
;
K. Toyota
;
T. Nakamura
;
K. Takahashi
;
R. Arakawa
;
T. Sasaoka
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
GaN;
Power Module;
High heat resistance;
Low Inductance;
Inverter Circuit;
48.
13-kV, 20-A 4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications
机译:
用于电力系统应用的13-KV,20-A 4H SiC引脚二极管
作者:
Dai Okamoto
;
Yasunori Tanaka
;
Tomonori Mizushima
;
Mitsuru Yoshikawa
;
Hiroyuki Fujisawa
;
Kensuke Takenaka
;
Shinsuke Harada
;
Shuji Ogata
;
Toshihiko Hayashi
;
Toru Izumi
;
Tetsuro Hemmi
;
Atsushi Tanaka
;
Koji Nakayama
;
Katsunori Asano
;
Kazushi Matsumoto
;
Naoyuki Ohse
;
Mina Ryo
;
Chiharu Ota
;
Kazuto Takao
;
Makoto Mizukami
;
Tomohisa Kato
;
ManabuTakei
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
PiN diode;
high voltage;
large-area device;
forward voltage drop;
49.
Two Packaging Solutions for High Temperature SiC Diode Sensors
机译:
用于高温SiC二极管传感器的两个包装解决方案
作者:
G. Brezeanu
;
F. Draghici
;
M. Badila
;
F. Craciunoiu
;
G. Pristavu
;
R. Pascu
;
F. Bernea
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
High temperature sensor;
package;
gold wire;
piston contact;
50.
Thin PSG Process for 4H-SiC MOSFET
机译:
4H-SIC MOSFET的薄PSG工艺
作者:
Y.K. Sharma
;
A.C. Ahyi
;
T. Issacs-Smith
;
A. Modic
;
Y. Xu
;
E. Garfunkel
;
M. R. Jennings
;
C Fisher
;
S.M.Thomas
;
P. Mawby
;
S.Dhar
;
L.C. Feldman
;
J.R. Williams
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Bias-temperature stress;
interface traps;
channel mobility;
phosphosilicate glass;
threshold voltage stability;
51.
Al~+ implanted 4H-SiC p~+-i-n diodes:Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation
机译:
Al〜+植入4H-SiC P〜+ -I-N二极管:植入后退火依赖性缺陷激活的证据
作者:
U. Grossner
;
F. Moscatelli
;
R. Nipoti
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
implantation;
PiN;
annealing;
IV;
defect;
52.
Retarded Oxide Growth on 4H-SiC(0001) Substrates due to Sacrificial Oxidation
机译:
由于牺牲氧化,在4H-SiC(0001)基材上的氧化氧化物生长
作者:
Takuji Hosoi
;
Yusuke Uenishi
;
Yuki Nakano
;
Takashi Nakamura
;
Takayoshi Shimura
;
Heiji Watanabe
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC(0001);
thermal oxidation;
sacrificial oxidation;
interface property;
53.
An approach to trace defects propagation during SiC epitaxy
机译:
SIC外延期间追踪缺陷传播的方法
作者:
Y. M. Fan
;
L. G. Zhang
;
J. Wang
;
X. M. Zhang
;
Z H. Zhang
;
B. S. Zhang
;
T. S. Sudarshan
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
defects;
epitaxy;
54.
Multi-wire Electrical Discharge Slicing for Silicon Carbide Part 2: Improvement on Manufacturing Wafers by Forty-wire EDS
机译:
用于碳化硅第2部分的多线电气放电切片:四十丝EDS制造晶片的改进
作者:
Atsushi Itokazu
;
Hidetaka Miyake
;
Takashi Hashimoto
;
Kazuhiko Fukushima
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Multi-wire Electrical Discharge Slicing;
Silicon Carbide (SiC);
Wafer Processing;
55.
650V SiC JFET for High Efficiency Applications
机译:
650V SIC JFET用于高效应用
作者:
Wolfgang Bergner
;
Roland Rupp
;
Uwe Kirchner
;
Daniel Kück
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
JFET;
650V;
Switch;
56.
Radiation-Induced Currents in 4H-SiC Dosimeters for Real-Time Gamma-Ray Dose Rate Monitoring
机译:
4H-SIC剂量计中的辐射诱导的电流,用于实时γ射线剂量率监测
作者:
Natsuko Fujita
;
Naoya Iwamoto
;
Shinobu Onoda
;
Takahiro Makino
;
Takeshi Ohshima
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
High purity semi-insulating (HPSI);
Gamma-ray dosimeter;
Radiation induced current;
Real-time measurement;
57.
Gate-drive Voltage Design for 600-V Vertical-trench Normally-off SiC JFETs toward 94 efficiency Server Power Supply
机译:
门驱动电压设计600V垂直沟槽常关SIC JFET朝94%效率服务器电源
作者:
S. Akiyama
;
K. Katoh
;
H. Shimizu
;
A. Hatanaka
;
T. Ogawa
;
N. Yokoyama
;
K. Ishikawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
Junction field-effect transistor;
gate-drive and server power supply;
58.
On the Ti_3SiC_2 Metallic Phase Formation for p-type 4H-SiC Ohmic Contacts
机译:
关于P型4H-SiC欧姆触点的Ti_3SIC_2金属相形成
作者:
M. R. Jennings
;
C. A. Fisher
;
D. Walker
;
A. Sanchez
;
A. Pérez-Tomás
;
D. P. Hamilton
;
P. M..Gammon
;
S. E. Burrows
;
S. M. Thomas
;
Y. Sharma
;
F. Li
;
P. A. Mawby
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon carbide;
ohmic contact;
silicide;
Ti_3SiC_2;
59.
High temperature resistant packaging for SiC power devices using interconnections formed by Ni micro-electroplating
机译:
使用Ni微电镀形成的互连的SiC电源装置的高耐耐耐耐耐耐耐力包装
作者:
Noriyuki Kato
;
Akiyoshi Shigenaga
;
Kohei Tatsumi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
high temperature;
interconnection;
Ni micro-plating;
bonding;
packaging;
60.
Study of 4H-SiC Schottky Diode Designs for 3.3 kV Applications
机译:
3.3 kV应用的4H-SiC肖特基二极管设计研究
作者:
H. Bartolf
;
V. Sundaramoorthy
;
A. Mihaila
;
M. Berthou
;
P. Godignon
;
J. Millan
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Schottky;
JBS;
trench;
termination;
junction termination extension (JTE);
ramp oxide;
61.
A novel grinding technique for 4H-SiC single-crystal wafers using tribo-catalytic abrasives
机译:
使用摩擦催化磨料的4H-SiC单晶晶片的新型研磨技术
作者:
Takanori Kido
;
Masatake Nagaya
;
Kenji Kawata
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon Carbide;
Grinding;
Tribo-Catalytic Abrasives;
62.
Polarized Photoluminescence from Partial Dislocations in 4H-SiC
机译:
来自4H-SIC的部分脱位的极化光致发光
作者:
Rii Hirano
;
Michio Tajima
;
Hidekazu Tsuchida
;
Kohei M. ltoh
;
Koji Maeda
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
photoluminescence;
dislocation;
polarization;
63.
Discriminating High k Dielectric gas Sensors
机译:
鉴别高k介电气传感器
作者:
S.K. Roy
;
K.V. Vassilevski
;
C.J. OMalley
;
N.G. Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Gas Sensing;
MIS Capacitor;
Nitrogen;
Oxygen;
Methane;
High Temperature;
64.
Strategic Overview of High-Voltage SiC Power Device Development Aiming at Global Energy Savings
机译:
全球能源节能的高压SIC电源设备开发战略概述
作者:
Lin Cheng
;
John W. Palmour
;
Anant K. Agarwal
;
Scott T. Allen
;
Edward V. Brunt
;
Gangyao Wang
;
Vipindas Pala
;
Woongje Sung
;
Alex Q. Huang
;
Michael OLoughlin
;
Albert Burk
;
Dave Grider
;
Charles Scozzie
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon Carbide;
High Voltage;
MOSFET;
GTO;
IGBT;
Power Diode;
Medium-Voltage Drive;
Variable Speed Drive;
renewable energy conversion;
power grid;
pulsed power;
65.
Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices
机译:
SIC接口和设备的纳米级特征
作者:
F. Giannazzo
;
P. Fiorenza
;
M. Saggio
;
F. Roccaforte
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
interfaces;
doping;
SiO_2;
epitaxial graphene;
66.
Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Si-AI solvent
机译:
使用Si-AI溶剂溶液生长期间的表面形态和穿线脱位转化行为
作者:
Shunta Harada
;
Yuji Yamamoto
;
Shiyu Xiao
;
Miho Tagawa
;
Torn Ujihara
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Solution growth;
4H-SiC;
Dislocation;
Surface morphology;
67.
Residual stress measurements of 4H-SiC crystals using x-ray diffraction
机译:
使用X射线衍射的4H-SiC晶体的残余应力测量
作者:
M. Nakabayashi
;
T. Fujimoto
;
H. Tsuge
;
K. Kojima
;
K. Abe
;
K. Shimomura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Residual stress;
Thermal distribution;
X-ray diffraction;
Lattice parameter;
68.
Effect of facet occurrence on polytype destabilization during bulk crystal growth of SiC by seeded sublimation
机译:
小方面发生对种子升华散装晶体晶体生长期间聚贸原稳定化的影响
作者:
Nikolaos Tsavdaris
;
Kanaparin Ariyawong
;
Odette Chaix-Pluchery
;
Jean-Marc Dedulle
;
Eirini Sarigiannidou
;
Didier Chaussende
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
PVT;
bulk SiC;
2D nucleation;
facet;
crystal shape;
69.
Electrical nanocharacterization of epitaxial graphene/silicon carbide Schottky contacts
机译:
外延石墨烯/硅碳化硅肖特基触点的电纳米特征
作者:
Filippo Giannazzo
;
Stefan Hertel
;
Andreas Albert
;
Antonino La Magna
;
Fabrizio Roccaforte
;
Michael Krieger
;
Heiko B. Weber
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
epitaxial graphene;
H intercalation;
ohmic contact;
Schottky barrier;
conductive AFM;
70.
Reliability Improvement and Optimization of Trench Orientation of 4H-SiC Trench-Gate Oxide
机译:
4H-SIC沟槽型氧化物沟槽方向的可靠性改进和优化
作者:
T. Kojima
;
S. Harada
;
K. Ariyoshi
;
J. Senzaki
;
M. Takei
;
Y. Yonezawa
;
Y. Tanaka
;
H. Okumura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Trench MOSFET;
Reliability;
Gate Oxide;
4H-SiC;
71.
4H-SiC Diode Avalanche Breakdown Voltage Estimation by Simulation and Junction Termination Extension Analysis
机译:
4H-SIC二极管雪崩击穿电压估计通过仿真和结终端延伸分析
作者:
Hua Rong
;
Yogesh Sharma
;
Fan Li
;
Mike Jennings
;
Phil Mawby
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
Avalanche Breakdown Voltage;
Impact ionization coefficient;
Junction Termination Extension;
72.
Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC
机译:
电气掺杂4H-SIC上肖特基触点的电气特性
作者:
M. Vivona
;
K. Alassaad
;
V. Soulière
;
F. Giannazzo
;
F. Roccaforte
;
G. Ferro
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
Ge-doped material;
Schottky diode;
73.
Formation of Graphene Ribbons onto Atomically Flat 6H-SiC
机译:
将石墨烯丝带形成在原子平6H-SIC上
作者:
Gemma Rius
;
Narcís Mestres
;
Yayoi Tanaka
;
Hidetoshi Miyazaki
;
Osamu Eryu
;
Philippe Godignon
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
graphene;
CMP;
atomic step;
terrace;
thermal treatment;
graphitization;
nucleation;
74.
On photoelectrical properties of 6H-SiC bulk crystals PVT-grown on 6H-and 4H-SiC substrates
机译:
6H-X-SIC基材上6H-SiC散装晶体PVT-生长的光电性能
作者:
Gediminas Liaugaudas
;
K?stutis Jara?iūnas
;
Nikolaos Tsavdaris
;
Eirini Sarigiannidou
;
Didier Chaussende
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
bulk 6H-SiC;
pump-probe;
carrier lifetime;
diffusion coefficient;
75.
Electrical Properties of Mg-lmplanted 4H-SiC
机译:
Mg-Lmplanted 4h-SiC的电气性质
作者:
Hideharu Matsuura
;
Tatsuya Morine
;
Shinji Nagamachi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Mg acceptor;
Mg acceptor level;
Mg-implanted 4H-SiC;
Mg implantation;
distribution function for deep-level acceptor;
76.
Solution growth of p-type 4H-SiC bulk crystals with low resistivity
机译:
具有低电阻率的P型4H-SiC散装晶体的溶液生长
作者:
Takayuki Shirai
;
Katsunori Danno
;
Akinori Seki
;
Hidemitsu Sakamoto
;
Takeshi Bessho
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
p-type 4H-SiC;
solution growth;
bulk crystal;
low resistivity;
heavily Al-doped;
77.
Characterization of SiO_2/4H-SiC interface by device simulation and temperature dependence of on-resistance of SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET导通电阻的装置仿真和温度依赖性SiO_2 / 4H-SIC接口的表征
作者:
K. Ohtsuka
;
S. Hino
;
A. Nagae
;
R Tanaka
;
Y. Kagawa
;
N. Miura
;
S. Nakata
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
MOSFET;
interface trap;
device simulation;
temperature dependence;
78.
Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation
机译:
用装置仿真研究影响4H-SIC结障舒丝二极管反向漏电流的堆垛机故障
作者:
J. Hasegawa
;
K. Konishi
;
Y. Nakamura
;
K. Ohtsuka
;
S. Nakata
;
Y. Nakamine
;
T. Nishimura
;
M. Hatano
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
JBS;
characterization;
leakage current;
simulation;
79.
Development of Silicon Carbide Dry Etcher Using Chlorine Trifluoride Gas
机译:
使用氯三氟化气体的碳化硅干蚀刻器的研制
作者:
Dairi Yajima
;
Hitoshi Habuka
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Chlorine trifluoride;
etching;
reactor;
gas distribution;
80.
Low resistance Ohmic Contact Formation of Ni Silicide on Partially Si Ion Implanted n~+ 4H-SiC
机译:
低电阻欧姆接触部分硅化物在部分Si离子植入N〜+ 4H-SiC
作者:
Milantha De Silva
;
Tadashi Sato
;
Shin-Ichiro Kuroki
;
Takamaro Kikkawa
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Ohmic Contact;
Ni Silicide;
ion-implantation;
81.
Effects of machining fluid on electric discharge machining of SiC ingot
机译:
加工液对SiC锭电气放电加工的影响
作者:
Norimasa Yamamoto
;
Satarou Yamaguchi
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
electronic discharge machining;
ingot slicing;
kerf loss;
82.
Analysis of C-face 4H-SiC MOS capacitors with ZrO_2 gate dielectric
机译:
ZrO_2栅极电介质C面4H-SIC MOS电容分析
作者:
Le-Shan Chan
;
Yu-Hao Chang
;
Kung-Yen Lee
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
ZrO_2;
4H-SiC;
gate dielectric;
RTA;
MOS-capacitors;
83.
Impurity behavior of high purity SiC powder during SiC crystal growth
机译:
SIC晶体生长期间高纯度SiC粉末的杂质行为
作者:
D-G. Shin
;
H-R. Son
;
S. Heo
;
B-S. Kim
;
J-E. Han
;
K-S. Min
;
D-H. Lee
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
Silicon carbide single crystal;
SiC powder;
high purity;
impurity;
PVT;
carbothermal reduction;
84.
n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing
机译:
通过湿化学激光加工N-和P型掺杂4H-SIC
作者:
K. Nishi
;
A. Ikeda
;
D. Marui
;
H. Ikenoue
;
T. Asano
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
SiC;
imprity doping;
laser doping;
wet laser processing;
excimer laser;
85.
High-Resolution Raman and Luminescence Spectroscopy of Isotope-Pure ~(28)Si~(12)C, Natural and ~(13)C - Enriched 4H-SiC
机译:
同位素的高分辨率拉曼和发光光谱 - 纯〜(28)Si〜(12)C,天然〜(13)C - 富集4H-SiC
作者:
Ivan G. Ivanov
;
Milan Yazdanfar
;
Bj?rn Lundqvist
;
Jr-Tai Chen
;
Jawad Hassan
;
Pontus Stenberg
;
Rickard Liljedahl
;
Nguyen T. Son
;
Joel W. Ager III
;
Olof Kordina
;
Erik Janzén
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
isotope-pure SiC;
isotope-enriched SiC;
Raman spectroscopy;
photoluminescence;
bandgap variation with isotope content;
86.
Influence of P~+-implantation and post-annealing on warpage structure of 4H-SiC wafers
机译:
P〜+ -implantation和退火对4H-SiC晶片翘曲结构的影响
作者:
K. Ishiji
;
S. Kawado
;
Y. Hirai
;
S. Nagamachi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
P~+-implantation;
warpage structure;
X-ray topography;
Raman spectroscopy;
87.
Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC (0001) Surface by Direct Plasma Nitridation
机译:
直接等离子体氮化制备和表征4H SiC(0001)表面的氮化层
作者:
Yoshiyuki Akahane
;
Takuo Kano
;
Kyosuke Kimura
;
Hiroki Komatsu
;
Yukimune Watanabe
;
Tomohiko Yamakami
;
Kiichi Kamimura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Nitride;
MIS;
TEOS;
88.
Nitridation effects of gate oxide on channel properties of SiC trench MOSFETs
机译:
栅氧化物对SiC沟槽MOSFET通道特性的氮化作用
作者:
K. Ariyoshi
;
S. Harada
;
J. Senzaki
;
T. Kojima
;
K. Kojima
;
Y. Tanaka
;
T. Shinohe
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Trench MOSFET;
UMOSFET;
(11-20);
gate oxide;
channel mobility;
nitridation;
89.
Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical etching with molten KCI+KOH
机译:
通过使用熔融KCI + KOH的化学蚀刻除去4H-SiC晶片对4H-SiC晶片的机械抛光诱导的表面损坏
作者:
Yong-zhao YAO
;
Yukari ISHIKAWA
;
Yoshihiro SUGAWARA
;
Koji SATO
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
mechanical polishing;
surface scratches;
damage layer;
isotropic chemical etching;
etch rate;
KCI;
KOH;
Si(0001) face;
C(000-1) face;
90.
Rapid Thermal Oxidation of Si-face N and P-type On-axis 4H-SiC
机译:
Si-Face N和P型在轴上的快速热氧化4H-SIC
作者:
M. Florentin
;
J. Montserrat
;
P. Brosselard
;
A. Henry
;
P. Godignon
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
On-Axis;
Si-face;
RTP;
SiO_2/SiC interface;
MOS Capacitor;
MOSFET;
Oxidation;
Electrical parameters;
91.
Unexpected effect of thermal storage observed on SiC power DMOSFET
机译:
在SIC POWER DMOSFET上观察到的热量存储的意外效果
作者:
Zakariae Chbili
;
Pragya R. Shreshta
;
Jason P. Campbell
;
John S. Suehle
;
Dimitris E. loannou
;
Kin P. Cheung
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Power electronics;
SiC;
DMOSFET;
Reliability;
TDDB;
charge trapping and Temperature Instability;
92.
Reduction of density of 4H-SiC / SiO_2 interface traps by pre-oxidation phosphorus implantation
机译:
通过预氧化磷植入来降低4H-SiC / SiO_2接口捕集物的密度
作者:
T. Sledziewski
;
A. Mikhaylov
;
S. Reshanov
;
A. Sch?ner
;
H. B. Weber
;
M. Krieger
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
MOS interface;
conductance method;
interface traps;
phosphorus ion implantation;
93.
Comparative study of 4H-SiC DMOSFETs with N_2O thermal oxide and deposited oxide with post oxidation anneal
机译:
N_2O热氧化物和沉积氧化氧化物与氧化退火的4H-SiC DMOSFET的比较研究
作者:
Cheng-Tyng Yen
;
Chien-Chung Hung
;
Aleksey Mikhaylov
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Jeng-Hua Wei
;
Ting-Yu Chiu
;
Chih-Fang Huang
;
Sergey Reshanov
;
Adolf Sch?ner
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
deposited oxide;
reliability;
mobility;
94.
V_F Degradation of 4H-SiC PiN Diodes Using Low-BPD Wafers
机译:
使用低BPD晶片的4H-SiC引脚二极管的V_F劣化
作者:
C. Ota
;
J. Nishio
;
K. Takao
;
T. Shinohe
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
PiN diode;
V_F degradation;
basal plane dislocation;
Shockley stacking fault;
threading edge dislocation;
95.
Top-seeded solution growth of 3 inch diameter 4H-SiC bulk crystal using metal solvents
机译:
使用金属溶剂的粒子溶液生长3英寸直径的4H-SiC散装晶体
作者:
K. Kusunoki
;
K. Kamei
;
N. Okada
;
K. Moriguchi
;
H. Kaido
;
H. Daikoku
;
M. Kado
;
K. Danno
;
H. Sakamoto
;
T. Bessho
;
T. Ujihara
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
3-inch diameter;
Top-seeded solution growth;
Meniscus formation technique;
Metal solvent;
96.
Growth of low resistivity n-type 4H-SiC bulk crystals by sublimation method using co-doping technique
机译:
使用共掺杂技术通过升华法生长低电阻率n型4H-SiC块状晶体
作者:
Tomohisa Kato
;
Kazuma Eto
;
Satoru Takagi
;
Tomonori Miura
;
Yasushi Urakami
;
Hiroyuki Kondo
;
Fusao Hirose
;
H. Okumura
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon carbide;
bulk crystal growth;
sublimation method;
co-doping;
97.
Characterization of damage induced by electric discharge machining and wiresawing with loose abrasive at subsurface of SiC crystal
机译:
SIC晶体地下电气放电加工和电线磨削造成损伤的特征
作者:
Y. Ishikawa
;
Y. Yao
;
K. Sato
;
Y. Sugawara
;
Y. Okamoto
;
N. Hayashi
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
electric discharge machining;
wiresawing;
SiC;
dislocation loop;
stacking fault;
pyrolysis;
98.
Reliability of gate oxides on 4H-SiC epitaxial surface planarized by CMP treatment
机译:
CMP处理平坦的4H-SiC外延表面上的栅极氧化物的可靠性
作者:
Keiichi Yamada
;
Osamu lshiyama
;
Kentaro Tamura
;
Tamotsu Yamashita
;
Atsushi Shimozato
;
Tomohisa Kato
;
Junji Senzaki
;
Hirofumi Matsuhata
;
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
reliability;
step bunching;
planarization;
CMP;
TDDB;
99.
Microstructural analysis of damaged layer introduced during chemo-mechanical polishing
机译:
化学机械抛光过程中损坏层的微观结构分析
作者:
Hideki Sako
;
Tamotsu Yamashita
;
Kentaro Tamura
;
Masayuki Sasaki
;
Masatake Nagaya
;
Takanori Kido
;
Kenji Kawata
;
Tomohisa Kato
;
Kazutoshi Kojima
;
Susumu Tsukimoto
;
Hirofumi Matsuhata
;
Makoto Kitabatake
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Chemo-mechanical polishing;
Basal plane dislocation;
Transmission electron microscopy;
100.
Characterization of 4H-SiC Bipolar Junction Transistor at High Temperatures
机译:
高温下4H-SiC双极结晶体管的特征
作者:
Nuo Zhang
;
Yi Rao
;
Nuo Xu
;
Ayden Maralani
;
Albert P. Pisano
会议名称:
《Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2014年
关键词:
Silicon Carbide (SiC);
4H-SiC;
Bipolar Junction Transistor (BJT);
High Temperature Characterization;
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