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零偏角Si-面(0001)衬底上4H-SiC同质外延生长研究

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利用课题组自主研发的垂直热壁CVD系统和SiH4-C2H4-H2-HCl气体体系,在零偏角Si面4H-SiC衬底上进行同质外延生长.文章研究了生长温度对外延形貌的影响机理,研究发现,外延层表面台阶随生长温度的提高而趋向条理和清晰.同时也研究了不同偏角的(0°,4°,8°)4H-SiC衬底上生长温度对外延生长速率的影响机制,生长速率可达到26μm/h.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||212-213|共2页
会议地点西宁
作者
闫果果; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
宽禁带半导体; 碳化硅; 同质外延; 温度条件; 表面形貌; 生长速率;

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