Rochester Institute of Technology;
机译:Si和GaSb衬底上的破间隙Esaki隧道二极管的性能评估
机译:In 0.53 sub> Ga 0.47 sub>作为Esaki隧道二极管在硅和InP衬底上的性能评估
机译:创新与进化:对科学生命的反思:从Esaki隧道二极管到半导体超晶格和量子阱
机译:氟化物谐振隧道二极管在Si基板上使用晶格匹配的缓冲层
机译:III-V Esaki二极管和2D隧穿场效应晶体管的量子模拟研究
机译:在几乎晶格匹配的柔性金属箔上制造全色GaN基发光二极管
机译:隧道二极管建模,包括非局部陷阱辅助隧穿:专注于III-V多结太阳能电池仿真
机译:Esaki隧道二极管的超晶格故事;简报图表