公开/公告号CN111653672A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽大学;
申请/专利号CN202010545805.X
申请日2020-06-15
分类号H01L51/42(20060101);H01L51/44(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构34131 合肥国和专利代理事务所(普通合伙);
代理人孙永刚
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
入库时间 2023-06-19 08:14:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-01
授权
发明专利权授予
机译: 采用3D纳米结构缓冲层的异质结半导体器件,由于晶格不匹配而使薄膜中的缺陷最小化,从而改善了器件的特性
机译: 晶格匹配的异质结器件
机译: 具有晶格和极性匹配的异质外延层的复合半导体结构