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零偏角Si-面(0001)衬底上4H-SiC同质外延生长研究

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利用课题组自主研发的垂直热壁CVD系统和SiH4-C2H4-H2-HCl气体体系,在零偏角Si面4H-SiC衬底上进行同质外延生长.文章研究了生长温度对外延形貌的影响机理,研究发现,外延层表面台阶随生长温度的提高而趋向条理和清晰.也研究了不同偏角的(0°,4°,8°)4H-SiC衬底上生长温度对外延生长速率的影响机制,生长速率可达到26μm/h.XRD衍射谱图和SEM截面图表明,在零偏角4H-SiC衬底上获得了高取向的4H-SiC外延层.

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来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||174-177|共4页
会议地点厦门
作者
Guoguo Yan; 闫果果; Feng Zhang; 张峰; Xingfang Liu; 刘兴昉; Lei Wang; 王雷; Wanshun Zhao; 赵万顺; Guosheng Sun; 孙国胜; Yiping Zeng; 曾一平;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
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中图分类
关键词
碳化硅; 零偏角; 化学气相沉积; 同质外延生长;

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