星用抗辐照功率VDMOS器件的SEB和SEGR研究

摘要

对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和SEGR的机理，给出了大功率MOSFET抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好基础。