机译:n通道功率MOSFET中的SEGR和SEB
机译:SEGR-和SEB-硬化结构,具有DSPSOI在功率MOSFET中
机译:功率MOSFET SEB / SEGR的实验与数值研究
机译:离子对N沟道功率MOSFET中SEB的影响位置效应的证据
机译:SEGR / SEB测试结果在新兴高 - REL电源MOSFET上
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:离子原子数对功率MOSFET单事件栅极破裂(SEGR)磁化率的影响
机译:离子原子序数对功率mOsFET单事件栅极断裂(sEGR)敏感性的影响。