The Pennsylvania State University.;
机译:低压快速热化学气相沉积形成的具有氮氧化物栅极电介质的n沟道MOSFET的电学特性
机译:用于n沟道和p沟道MOSFET的氮氧化物栅极电介质的低压快速热化学气相沉积
机译:具有通过低压快速热化学气相沉积形成的氮氧化物栅极电介质的n沟道和p沟道MOSFET的迁移行为
机译:新型材料作为CMOS互连应用的中间层低k电介质
机译:用于层间电介质应用的低介电常数材料和工艺。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:用于纳米级MOSFET的低K电介质