存在界面陷阱的n沟6H-SiCMOSFET温度特性研究

摘要

利用二维器件仿真软件 MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的 n沟 6H-Si C场效应晶体管的结构模型和物理模型 ,通过模拟研究 ,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特性的影响。