Numerical models; Analytical models; Temperature dependence; Temperature distribution; Numerical simulation; Temperature measurement;
机译:氧化物-半导体界面陷阱存在下4H-SiC DMOSFET输入电容的分析描述
机译:4H-SiC垂直DMOSFET中SiO 2 sub> / SiC界面俘获电荷与表面势函数的关系
机译:存在界面陷阱时4H-SiC绝缘栅双极晶体管的增强的Miller平稳特性
机译:在SiO2 / SIC接口阱和固定氧化物存在下建模4H-SiC DMOSFET的I-V-T特性
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:N2O热处理后SiO2 / 4H-SiC界面的外观
机译:通过热氧化制备具有接近理想电容-电压特性的SiO2 / 4H-SiC(0001)界面