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【2h】

Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) interface with nearly ideal capacitance-voltage characteristics by thermal oxidation

机译：通过热氧化制备具有接近理想电容-电压特性的SiO2 / 4H-SiC（0001）界面

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UTokyo Research掲載「次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発」 URI: http://www.u-tokyo.ac.jp/ja/utokyo-research/research-news/advanced-dielectric-film-growth-technique-for-next-generation-power-devices/

机译：刊登在UTokyo Research“接近下一代功率器件理想性能的绝缘膜材料制造技术的发展” URI：http：//www.u-tokyo.ac.jp/ja/utokyo-research/research-news/advanced-dielectric下一代功率设备的电影生长技术/

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作者
Kikuchi Richard Heihachiro; Kita Koji;
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作者单位

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年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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