CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究

李红征; 周川淼; 于宗光

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采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用15 μm P阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27℃～200℃)的器件特性,包括漏电流IDS阈值电压VT、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系.

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来源
《电子与封装》 |2007年第2期|38-40|共3页
作者
李红征; 周川淼; 于宗光;
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作者单位

江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214036;

中国电子科技集团第58研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团第58研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团第58研究所,江苏,无锡,214035;

江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214036;

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正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
偏置栅高压MOS; 温度效应; 温度系数; ZTC(零温度系数)点;

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