机译:低压快速热化学气相沉积形成的具有氮氧化物栅极电介质的n沟道MOSFET的电学特性
机译:具有通过低压快速热化学气相沉积形成的氮氧化物栅极电介质的n沟道和p沟道MOSFET的迁移行为
机译:用于n沟道和p沟道MOSFET的氮氧化物栅极电介质的低压快速热化学气相沉积
机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
机译:通过喷射气相沉积技术形成的超薄氧氮化硅栅介质膜的电学和物理特性
机译:快速热化学气相沉积的氮氧化物用于先进的栅极电介质。
机译:具有AlN界面层的单层MoS2 MOSFET的改进的栅介电沉积和增强的电稳定性
机译:低压快速热化学气相沉积制备薄硅氮氧化物薄膜的表征
机译:用于双栅极亚100nm mOsFET的快速热化学气相沉积