新一代MOSFET栅极电介质材料的研究进展

摘要

随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电子器件集成度的提高.因此寻找新一代MOSFET栅极电介质材料来取代SiO2已经成为人们研究的热门课题.文章总结了新型high-k材料所需满足的性能要求,介绍了近年主要high-k材料的研究成果,并综述了新一代MOSFET栅极电介质薄膜材料LaAlO3的研究进展。