GaN ion implantation Mg MOSFET Si;
机译:具有低压化学气相沉积SiN_x栅极电介质的常关GaN MIS-FET的偏置温度不稳定性
机译:使用PECVD SiON栅极电介质的常关GaN-on-Si MISFET
机译:常断型GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的O_3源原子层沉积高质量Al_2O_3栅极电介质
机译:用于高性能常关型GaN MIS-HEMT的高温低损伤栅极凹陷技术和臭氧辅助ALD生长的Al
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中