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张化福; 祁康成; 吴健;
电子科技大学光电信息学院,成都,610054;
高介电常数; 栅介质; 等效氧化物厚度; 退火;
机译:基于高介电常数氧化锆材料的栅极电介质应用研究进展
机译:具有高介电常数栅极电介质的独立双栅极(IDG)MOSFET电路性能的仿真研究
机译:具有高介电常数栅极电介质的双栅极MOSFET阈值电压的量子短通道紧凑模型
机译:使用高介电常数材料的栅极电介质对MOS器件的等离子充电效应
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:以天然有机材料为栅极电介质和半导体层的双极性逆变器
机译:高介电常数氧化物作为MOS晶体管的栅极电介质
机译:可筛选高介电常数陶瓷 - 玻璃电介质的研制
机译:用于具有高介电常数的栅极电介质的器件的复合材料T栅极结构
机译:用于制造具有高介电常数的栅极电介质的半导体器件的选择性蚀刻工艺,以防止栅极电介质被适当地抬起或压下,而在介质层下的基质并未完全损坏时
机译:减小界面层的厚度的方法,形成高介电常数栅极绝缘膜的方法,高介电常数栅极绝缘膜,高介电常数栅极氧化膜以及具有高介电常数栅极氧化膜的晶体管
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