高介电常数

摘要： 具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射频磁控溅射制备了以Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)为栅绝缘层的ZnO-TFTs,同时,详细研究了300°C、400°C、500°C和600°C等退火温度对ZnO-TFTs性能的影响,研究结果表明,随着退火温度的升高,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能先升高后降低,在退火温度为500°C时,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能都得到了显著提高,电容密度从165 nF/cm^(2)升高到222 nF/cm^(2),开关比从103升高到105.

摘要： 简要介绍了聚偏氟乙烯(PVDF)的结构和介电性能,从提高介电常数和力学性能出发,综述了陶瓷填料/聚偏氟乙烯复合材料、导电填料/聚偏氟乙烯复合材料和三元杂化聚偏氟乙烯复合材料介电性能的研究进展,并展望了PVDF应用及研究方向.

摘要： 2.电子印料与厚膜电容电容器是在电路中以静电场的形式储存电能的电子元件,它在电路中的符号为C。一般所讲的贴片电容是指片式多层陶瓷电容,即独石电容、MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor;多层陶瓷电容器)。独石电容器可分为温度补偿类、高介电常数类、半导体类。

摘要： 对锗衬底进行NH3和N2混合等离子体(V/(NH3)∶V/(N2)= 5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeOx反应生成GeOyNz.XPS结果显示,随着预处理时间的延长,GeOyNz厚度稍有增加.结构为500 nm Al/20 nm Ti/10 nm HfO2/Ge的锗MOS电容样品,在1 V的偏压下,未经过原位等离子体预处理的样品的漏电流密度为10-4A/cm2量级,而120sNH3/N2混合等离子体预处理后的样品的漏电流密度减小到10-5A/cm2量级;所有等离子体预处理样品的C-V曲线不存在明显的翘曲变形,表明样品的界面陷阱电荷密度较低;通过C-V曲线计算可得,NH3/N2混合等离子体预处理60s后样品的等效电容约为17,小于理想HfO2的介电常数值,说明预处理条件下仍有不可忽略的层间电容.与其他预处理方法相比,NH3/N2混合等离子体原位预处理锗衬底可以更加有效地提高锗衬底上原子层沉积HfO2层间界面的质量,抑制Ge向HfO2的扩散,对界面的陷阱电荷有重要的限制作用.在提高锗MOS器件的性能方面,NH3和N2混合等离子体原位预处理的方法在工业生产中更具有潜在优势.

摘要： 近年来液晶在微波通信器件上的研究发展迅速,而液晶材料的介电损耗成为制约其发展的主要因素.异硫氰三联苯类化合物是一种结构稳定的低粘度、高双折射率液晶化合物,适于作为微波用液晶材料组分.本文通过偶联法合成了4种含氟三联苯异硫氰酸酯液晶化合物nPGUS(n=2～5),通过IR、1H NMR、13C NMR、10F NMR确认化合物结构正确;差热分析(DSC)结果显示,它们都具有宽温向列相液晶态和相对较低的熔点,其中5PGUS的向列相温度范围达到101.8°C,熔点只有57.4°C;通过矩形谐振腔微扰法测试分析了它们在高频下的介电性能,将它们与母体液晶混合后,在18 GHz时的介电常数值(△εr)为0.95,最大介电损耗为(tanδεr-max)0.00763,相位调制系数(τ)0.265,可满足微波用向列相液晶材料性能要求.

摘要： 添加稀土元素是提高Ba0.67 Sr0.33 TiO3陶瓷材料介电性能的一种最常用有效的方法.本文着重研究了La掺杂诱发Ba0.67Sr0.33TiO3高介电常数机制.研究表明:适量的稀土La掺杂(0.2≤x≤0.7)使陶瓷介电常数显著提高,显著改善了介电温度稳定性.根据电流-电压(J-V)特性可知,适量La掺杂可使陶瓷达到最佳半导化,掺量太少或太多时陶瓷具有良好绝缘性.通过肖特基(Schottky)势垒模型及电学微观结构模型分析发现表面或晶界势垒高度、耗尽层厚度和晶粒尺寸是影响材料介电常数的主要因素.

摘要： 关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型.该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围.其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度.本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb0.5xO12,x=0.2％、0.5％、5.0％)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理.正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致.x=0.5％掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄.实验结果验证了描述CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测.

摘要： 系统地对基于高介电常数材料HfO2和传统的介质材料SiO2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的薄膜晶体管的工作特性进行了研究.获得了不同沟道长度和沟道宽度,不同栅介质层厚度和不同温度条件下的薄膜晶体管的工作特性曲线.通过对比发现,薄膜晶体管的饱和电流与沟道长度和栅介质层厚度成反比,与沟道宽度成正比,与理论计算一致.随着温度的升高,薄膜晶体管的载流子迁移率和阈值电压都在逐渐减小,因而饱和电流值逐渐减小;在相同栅介质层尺寸和温度条件下,基于HfO2的薄膜晶体管相对于基于SiO2的薄膜晶体管具有更高的电流开关比,更低的阈值电压和更小的泄漏电流.因此,基于高介电常数栅介质材料的薄膜晶体管相对于基于SiO2的薄膜晶体管具有更好的性能.

摘要： 高介电常数的材料储能和电应力控制领域有着非常重要的应用.在聚合物基体中引入高介电常数的纳米陶瓷颗粒是一种制备高介电纳米复合材料的重要方法.采用常规共混方法制备的纳米复合材料可能存在介电损耗大,击穿强度低等缺点,这对于纳米复合材料的储能特性具有负面影响.为解决这一问题,近几年来,上海市电气绝缘与热老化重点实验室(上海交通大学)发展了一系列制备高性能介电纳米复合储能材料的方法.这些方法包括:原位原子转移自由基聚合方法,可逆加成-断裂链转移自由基聚合方法,一核多壳方法,制备卫星状复合纳米颗粒的方法,调节纳米颗粒的表面化学等.采用这些方法制备的纳米复合材料,不仅具有高的介电常数,还具有低的介电损耗和高的击穿强度,能大幅度提高纳米复合材料的储能密度.另外,界面区的物理化学性质对纳米复合材料介电和储能特性的影响也会涉及到.

摘要： 采用大功率CO激光辐照制备高介电常数TaO陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.

摘要： 论文主要研究氧化铅材料应用于双极型存储器中存在的问题，即如何在确保读写速度、可擦写次数、数据保存时间等存储性能同时，获得“低功耗”的存储器件单元，从而满足CMOS集成电路高密度存储的发展需求。

摘要： 具有高介电常数的新型功能材料,在电气工程领域具有重要的应用价值。近几年来,聚合物基高介电常数功能复合材料得到了广泛的研究,具有优异介电常数和储能密度的新型介电材料时常见诸报道。然而,由于材料存在种种问题,聚合物基高介电复合材料一直难以被大规模的生产和应用。本文在分析已经报道过的各类文献基础上.对实现聚合物高介电复合材料的创新研究和实际应用所遇到的问题进行了探讨。该领域目前面临的复合材料介电常数难于提高、损耗因子过大、击穿场强下降过快、以及材料难于批量大面积制备成薄膜是关键的科学问题和重大挑战。

摘要： 本文通过一例S波段小型化环行器的设计，探讨了S波段环行器的小型化对策，通过高介电常数的陶瓷环来减小环行器的KR值，减小铁氧体的直径从而达到环行器的小型化的目的，设计出的环行器外形尺寸仅为12.7×12.7×6.4mm，带宽700MHz，插入损耗≤0.5dB，反向隔离≥20dB，驻波系数<1.25。

摘要： 电子信息产品和设备的发展趋势之一是高频化，尤其在无线网络、雷达、卫星通讯的快速发展，都需要大量的高频微波电路基板。聚四氟乙烯玻纤增强微波电路基板在高频下具有优异的电性能，以及耐热性、耐酸碱性和电镀性，是理想的微波电路基板选择材料，但由于其介电常数范围在2.4～2.9之间，局限了他的广泛使用。本文通过对掺陶瓷组分聚四氟乙烯玻纤增强微波电路基板的研究，提高基板在高频下的介电常数，同时把损耗又控制在合理范围内，以满足市场的需求。

摘要： 本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。

摘要： 本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。

摘要： 本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。

摘要： 本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。

摘要： 本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。

摘要： 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

摘要： 本发明揭示一种形成例如层等介电结构的方法。所述方法包括从高k材料的多个部分形成高k结构。通过沉积所述高k材料的多个单层并使所述高k材料退火而形成所述高k材料的所述多个部分中的每一者。所述高k材料可为钙钛矿型材料，其包含(但不限于)钛酸锶。还揭示一种介电结构、并入有介电结构的电容器和形成电容器的方法。

摘要： 本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。

摘要： 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

摘要： 本发明涉及一种高介电常数玻璃纤维。高介电常数玻璃纤维，包括下述化合物制成：SiO

摘要： 本发明公开了一种高饱和高介电常数低线宽微波铁氧体材料及其制备方法。所述方法包括：1)按照特定化学组成的配方量称取原料磁粉；2)对磁粉一次湿法球磨，烘干；3)对所得干料预烧，温度为760°C～840°C；4)对预烧后的物料二次湿法球磨；5)采用球磨产物以及粘结剂制备喷雾干燥的浆料，喷雾干燥得到颗粒料；6)成型后分段烧结，先升温至≤800°C的某一温度，再以速率≤4°C/min的速率升温至850°C～1200°C，烧结气氛为含氧气氛，其中氧气的浓度大于等于95vol％，得到微波铁氧体。制备得到的微波铁氧体的烧成密度在5.7g/cm3以上，具有高饱和磁矩、高介电常数ε、高居里温度、低线宽、低损耗。

摘要： 本发明涉及一种高介电常数玻璃纤维。高介电常数玻璃纤维，包括下述化合物制成：SiO

摘要： 本发明公开了一种高介电常数高功率微波铁氧体材料，属于微波与磁性材料技术领域，其化学式为:Y3‑x‑y‑a‑b‑c‑d‑e‑fBixLayLuzGdaNdbSmcDydCae+fSneZrfFe5‑δ‑e‑fO12，其中0.8≤x≤1.6，0≤y+z≤0.2，0≤a≤0.7，0≤b+c≤0.06，0.005≤d≤0.05，0.25≤e+f≤0.55，δ为缺铁量，0.03≤δ≤0.1，本发明还公开了上述材料的制备方法；本发明高介电常数（文中均指相对介电常数ε­r）高功率石榴石型微波铁氧体材料，兼具高介电常数和高功率特性，并且具有优良的电磁性能；相对介电常数ε­r＞20，介电损耗tanδε＜2×10‑4，自旋波线宽ΔHk＞5 Oe，铁磁共振线宽ΔH≤40 Oe，4πMs≥1700 G，居里温度Tc＞270°C；本发明高介电常数高功率石榴石型微波铁氧体材料可有效降低高功率微波环形器隔离器器件设计尺寸，满足小型化需求。

摘要： 本发明属于通信材料技术领域，尤其涉及一种高介电常数的含氟树脂基高导热高频覆铜板。本发明通过先配制含氟树脂混合物均匀分散液，再制得含氟树脂基复合糊状物，然后刮涂、烘干、烧结制得含氟树脂基介质片，最后与铜箔叠合的方式，制得最终的含氟树脂基高导热高频覆铜板。