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田宗民; 陈旭; 谢振宇; 张金中; 张文余; 崔子巍; 郭建; 闵泰烨;
北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;
栅极绝缘层; 有源层; 沉积条件优化; 电学特性; 改善;
机译:氟化酞菁铜作为有源层和聚合物介电层作为栅极绝缘层的有机场效应晶体管的性能
机译:具有溶液沉积半导体和栅极介电层的高性能氧化物TFT的接触电阻和工艺集成效应
机译:中间退火工艺对采用原子层沉积制备的掺铝ZnO有源沟道的TFT器件特性的影响
机译:开发用于TFT应用的等离子增强化学气相沉积(PECVD)栅极电介质。
机译:通过光化学H掺杂形成均质导电层的双有源层a-IGZO TFT
机译:优化栅极结构绝缘层的开发以及GaN材料上MIS-HEMT的钝化
机译:从气相沉积薄绝缘层
机译:场效应晶体管存储器件,具有形成在源极和漏极之间的有机半导体有源层,形成在有机有源层上的铁电栅极绝缘层以及形成在绝缘层上的栅极
机译:TFT具有栅极绝缘层,该绝缘层具有能够将有机半导体层定向到预定方向的取向平面,制造TFT的方法,电子电路,显示装置和电子设备
机译:用于最小化栅极绝缘层和有源层之间的界面中的缺陷的TFT基板及其制造方法
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