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N沟道4H--SiC MOSFET的高温特性与建模研究

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2．3．1 晶格散射

3．4．1 SiO2／4H-SiC结构中的电荷

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作者
张航;
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作者单位

西安电子科技大学;

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授予单位西安电子科技大学;
学科集成电路工程
授予学位硕士
导师姓名张艺蒙,乐立鹏;
年度 2020
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 V43TN4;
关键词
入库时间 2022-08-17 11:23:05

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