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具有高介电常数钝化层的双通道横向功率MOSFET器件

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本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及横向功率MOSFET器件(Metal‑Oxide‑Semi conductor Field‑Effect Transistor)，具体为一种具有高介电常数钝化层的双通道横向功率MOSFET器件；用以解决现有的双通道横向功率MOSFET器件中靠近器件表面的经N型外延层n

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公开/公告号CN111106178A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201911264668.6
发明设计人程骏骥;陈为真;
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申请日2019-12-11
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 08:17:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20191211

实质审查的生效
2020-05-05

公开

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