机译:650 MW / mm输出功率密度为10 GHz的H封端的多晶钻石MISFRET
机译:高频H型钻石MISFET,输出功率密度为10 GHz 182 MW / mm
机译:金刚石基板上的AlGaN / GaN HEMT,在10 GHz时的输出功率密度超过7W / mm
机译:在65nm CMOS中通过2D差分功率组合,输出功率密度为74.5mW / mm 2 sup>的53至73GHz功率放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:16 CH×200GHz DWDM - 无源光纤传感器网络基于核电站燃料池的水位监测水位监测
机译:在In0.7ga0.3as的不稳定性,用单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2栅极堆叠在正偏置温度(PBT)应力下引起的单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2堆叠
机译:亚微米栅极Inp功率mIsFET具有18和20 GHz时改善的输出功率密度