具有环形阴极新结构的高压SOI器件

摘要

提出具有环形阴极的横向高压SOI器件新结构，该结构采用环形阴极，利用电场的曲率效应以提高耐压。作为应用实例，在3μm埋氧20μm顶硅上设计出耐压大于600V SOI LDMOS，与常规结构相比，新结构耐压有6.74％的提升，而导通电阻仅增加2.14％。该结构与常规CD工艺完全兼容，不增加工艺难度。