超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变

摘要

采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明，当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时，SiO2由具有低势垒的绝缘体，转变成Mott-Like缺陷导体，由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。