机译:SiGe双极WCDMA功率放大器,在3.3 V电压下具有52%的PAE
机译:具有高性能,超自对准,选择性生长的SiGe基极(SSSB)双极晶体管的20ps以下ECL电路
机译:使用自对准外延SiGe基双极晶体管在液氮温度下30ps以下的ECL电路工作
机译:3.3 PSS IgE bipolar technology
机译:具有高SFDR的500MSPs双极SiGe跟踪和保持电路
机译:3.3人体杏仁核中应力和焦虑分子因素的后代表达:精神分裂症和双歧疾病异常
机译:64-GBD DP-Bipolar-8ASK传输超过120公里的SSMF,采用单片集成的驱动器和MZM,在0.25-μmsige bicmos技术中
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用