机译:超薄氧化物部分耗尽SOI浮体CMOS的栅-体泄漏和电容的改进的表征方法
机译:抑制硼从源极/漏极延伸区的渗透,以改善65nm节点CMOS及以上晶体管的栅极泄漏特性和栅极氧化物可靠性
机译:适用于高级CMOS的3 nm以下氧化物可靠性:问题,特征和解决方案
机译:具有1nm范围栅氧化层的先进CMOS的低泄漏可靠性表征方法
机译:具有低界面陷阱和低泄漏密度的III-V CMOS上的高比例高介电常数氧化物。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:考虑低压CmOs工艺中栅氧化层可靠性的电荷泵电路设计
机译:CmOs集成电路中栅氧化物短路的可靠性和电气特性