University of California, Santa Barbara.;
机译:低渗漏和高度可靠的1.5 nm SiON栅极电介质,采用自由基氧氮化处理,用于0.1μm以下CMOS
机译:低泄漏和高度可靠的1.5nm Sion栅极电介质使用自由基氧氮化为Sub-0.1μmCMOS
机译:由界面控制的高介电常数Al_2O_3 / TiO_x纳米层压板具有低损耗和低泄漏电流密度,适用于新一代纳米器件
机译:低泄漏和高度可靠的1.5 nm SiON栅极电介质,采用自由基氧氮化处理,用于低于0.1 / spl mu / m CMOS
机译:用于III-V CMOS的高介电常数栅极氧化物。
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:用于CmOs缩放的原子层沉积:si,Ge和III-V半导体上的高k栅介质
机译:估算mOs氧化物阱,界面陷阱和边界陷阱密度的简单方法。