机译:低介电常数绝缘膜的形成材料,低介电常数绝缘膜形成材料的形成方法,低介电常数绝缘膜,低介电常数绝缘膜的形成方法以及具有低介电常数绝缘膜的半导体装置
公开/公告号JP2003327843A5
专利类型
公开/公告日2005-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP2002137893
发明设计人
申请日0000-00-00
分类号C08L101/00;C08K3/36;C08L83/04;H01L21/316;H01L21/768;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:37:33