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Material for forming insulating film with low dielectric constant, low dielectric insulating film, method for forming low dielectric insulating film and semiconductor device

机译:低介电常数绝缘膜的形成材料,低介电绝缘膜,低介电绝缘膜的形成方法以及半导体装置

摘要

A material for forming an insulating film with low dielectric constant of this invention is a solution including a fine particle principally composed of a silicon atom and an oxygen atom and having a large number of pores, a resin and a solvent.
机译:本发明的用于形成介电常数低的绝缘膜的材料是包含主要由硅原子和氧原子构成且具有大量的细孔的微粒,树脂和溶剂的溶液。

著录项

  • 公开/公告号US2007218643A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIDEO NAKAGAWA;MASARU SASAGO;

    申请/专利号US20070798085

  • 发明设计人 HIDEO NAKAGAWA;MASARU SASAGO;

    申请日2007-05-10

  • 分类号H01L21/76;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:06:29

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