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低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件

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摘要

本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

著录项

公开/公告号CN1275297C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-09-13

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN03128623.2
发明设计人中川秀夫;笹子胜;
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申请日2003-04-28
分类号H01L21/31(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汪惠民
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 08:58:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 授权公告日:20060913 终止日期:20130428 申请日:20030428

专利权的终止
2006-09-13

授权

授权
2004-02-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-12-10

公开

公开

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