2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在0．1μm CMOS技术中静电放电引起的氧化击穿的特性表征

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• 来源
  《电子产品可靠性与环境试验》 |2003年第4期|61-61|共1页
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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 数字集成电路、逻辑集成电路;
• 关键词

  CMOS技术; 静电放电; 氧化击穿; ESD;