机译:具有2nm薄栅氧化层的部分耗尽SOI 0.25-0.1 / splμ/ m CMOSFET的热载流子引起的退化
机译:采用0.18 / spl mu / m片上系统CMOS技术的多阈值电压和多击穿电压CMOS器件设计点的质子公差
机译:在SOI,SOS和块状基板上以0.1- / spl mu / m CMOS技术实现的4 GHz和13 GHz调谐放大器
机译:静电放电诱导0.1μmCMOS技术中的氧化物分解表征
机译:具有二齿膦氧化物配体的单体钼(VI)配合物以及具有苯甲酸和次膦酸衍生物的二聚和四聚钼(V)簇的合成和表征,其中包含氧化钼,二氧化钼(mu-oxygen)和钼(4) )四氧化物(mu3-氧)结构基序
机译:铝微电极单脉冲阳极氧化过程中氧化膜的放电行为和介电击穿
机译:适用于0.1微米以下CMOS技术的高级栅极叠层