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机译:适用于0.1微米以下CMOS技术的高级栅极叠层
YU HONGYU;
机译:由Ru电极和基于Hf的CMOS栅极电介质组成的高级栅极堆叠的热稳定性
机译:高度可制造的先进栅极堆叠技术,用于低于45nm的自对准栅极优先CMOSFET
机译:ALD-HFO的结构和电气特性 2 CE:INF> / N-SI栅极堆叠,具有高级CMOS技术的SION界面层
机译:低于0.1#mu#m cmos技术的High-k门极堆栈
机译:用于先进CMOS技术的门叠和通道工程。
机译:用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
机译:用于纳米级CMOS技术的高级栅极叠层
机译:堆叠的多层结构可减少先进CMOS技术中的多层粒子数量
机译:在先进的CMOS技术中防止P通道器件的薄栅氧化层渗透硼
机译:在先进的CMOS技术中防止硼穿过P沟道器件的薄栅氧化物
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