机译:硅化硅前的氟注入抑制镍硅化硅浅结的热致泄漏
机译:BF_2〜+注入硅化物/通过硅化物和快速热退火形成NiSi硅化的p〜+ n浅结
机译:氟基掺入的基材取向依赖性抑制NISI诱导的结漏
机译:通过前SALICIDE氟注入来彻底抑制NiSi硅化浅结的热致泄漏
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:热诱导的核糖核酸降解和金黄色葡萄球菌代谢池中物质的泄漏。
机译:充分抑制欠阻尼长约瑟夫森结的噪声引起的误差
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。