通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法

摘要

本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法，包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入的技术，利用氟元素、氮元素的共同作用来抑制硼扩散，提升对于硼扩散的抑制效果，从而实现硼掺杂的超浅结。本发明方法操作简单，离子注入后，在普通快速退火炉中就能实现超浅结的制作，消除了对较高的快速退火设备的依赖。它广泛应用于半导体制造技术领域。