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团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法

摘要

本发明提供了一种团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法,大原子基团的形成包括离子源发生腔中生成离子源;从离子源发生腔出来的部分离子源进入靶材腔,轰击靶材,从靶材中轰击出的离子、原子、分子、原子团相互碰撞,生成原子团;从靶材腔出来的原子团进入基团增大腔中,同时,从离子源发生腔出来的部分离子源进入基团增大腔并且碰撞从靶材腔出来的原子团使其带电,从而增加带电大原子团的占比;从基团增大腔出来的大原子团进入磁场分析腔,进行荷质比筛选,选择所需荷质比的带电原子团。本发明实现了离化的大原子基团和利用大原子基团的注入。

著录项

  • 公开/公告号CN107195522A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201710515940.8

  • 发明设计人 康晓旭;

    申请日2017-06-29

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号

  • 入库时间 2023-06-19 03:20:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/317 申请日:20170629

    实质审查的生效

  • 2017-09-22

    公开

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