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International Workshop on Junction Technology
International Workshop on Junction Technology
召开年:
2013
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Device performance improvement with Nitrogen implanted during LDD sequence
机译:
LDD序列中植入氮气的装置性能改进
作者:
N. Auriac
;
C. Laviron
;
N. Cagnat
;
J. Singer
;
B. Duriez
;
R. Gwoziecki
;
G. Chabanne
;
C. Rando
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2007年
2.
The difference of chemical binding states between ultra shallow plasma doping (PD) and ion implantation (I/I) samples studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy (HX-PES)
机译:
通过硬X射线光电子能谱(HX-PE)研究的超浅等离子体掺杂(Pd)和离子注入(I / I)样品之间的化学结合状态的差异(HX-PE)
作者:
C. G. Jin
;
Y. Sasaki
;
K. Okashita
;
B. Mizuno
;
M. Kobata
;
J. J. Kim
;
E. Ikenaga
;
K. Kobayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2007年
关键词:
Plasma doping;
Hard X-ray Photoelectron spectroscopy;
Binding energy;
3.
Analysis and Improvement on the Uniformity of Sheet Resistance of Nickel Silicide
机译:
硅化镍薄层电阻均匀性的分析与改进
作者:
Ryuji Tomita
;
Makoto Yasuda
;
Hiroshi Kimura
;
Kazutaka Maeda
;
Shuichiro Ueno
;
Masashige Moritoki
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
4.
CMOS Technology After Reaching The Scale Limit
机译:
CMOS技术达到尺度限制后
作者:
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
5.
SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition
机译:
通过化学气相沉积种植的SiC外延层
作者:
Yuehu Wang
;
Yuming Zhang
;
Yimen Zhang
;
Renxu Jia
;
Da Chen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
关键词:
SiC;
CVD;
SEM;
FTIR;
AFM;
6.
COO Reduction on Polysilicon Gate Doping by Beam Current Increase on Batch-Type Implanters
机译:
通过束电流增加批量型注入机的多晶硅栅极掺杂的COO降低
作者:
Hisaki Izutani
;
Yuji Takahashi
;
Mitsuaki Harada
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
7.
The Intermediate Semiconductor Layer for the Ohmic Contact to Silicon Carbide by Germanium Implantation
机译:
通过锗植入的用于欧姆接触的中间半导体层与碳化硅
作者:
Hui Guo
;
Da-yong Qiao
;
Yue-hu Wang
;
Yu-ming Zhang
;
Yi-men Zhang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
8.
Comparison of chemical binding states between ultra shallow plasma doping (PD) and ion implantation (I/I) combined with Ge pre-amorphizaiton ion implantation (Ge-PAI) by using hard X-ray photoelectron spectroscopy (HX-PES)
机译:
用硬X射线光电子光谱(HX-PE)将超浅等离子体掺杂(Pd)和离子注入(I / I)与Ge Pre-Amorphizaiton离子注入(Ge-Pai)组合的化学结合状态的比较
作者:
C. G. Jin
;
M. Kobata
;
Y. Sasaki
;
K. Okashita
;
K. Nakamoto
;
B. Mizuno
;
E. Ikenaga
;
K. Kobayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
9.
An Analytical Model of Drain Induced Barrier Lowering Effect for SiC MESFETs
机译:
SiC MESFET漏极诱导屏障降低效果的分析模型
作者:
Quanjun Cao
;
Yimen Zhang
;
Yuming Zhang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
关键词:
4H Silicon Carbide;
Metal Semiconductor Field Effect Transistor;
Drain induced barrier lowering effect;
Short channel;
10.
Implementation of Molecular Ion Implant Technology for PMOS extension implants and their compatibility with DRAM process flows
机译:
PMOS延伸植入物的分子离子植入技术的实现及其与DRAM工艺流动的兼容性
作者:
Annelies Falepin
;
Erik Collart
;
Sandra Tran
;
Mark Harris
;
Mike Ameen
;
Thomas Hoffman
;
Erik Rosseel
;
Kanta Saino
;
Naoto Horiguchi
;
Philippe Absil
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
11.
Influence of Emitter Ledge Width on the Characteristics of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
发射架宽度对InGaP / GaAs异质结双极晶体管特性的影响
作者:
Kuei-Yi Chu
;
Shiou-Ying Cheng
;
Tzu-Pin Chen
;
Li-Yang Chen
;
Tsung-Han Tsai
;
Jung-Hui Tsai
;
Wen-Chau Liu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
12.
Cluster Ion Implantation for beyond 45nm node novel device applications
机译:
超过45nm节点新型设备应用的聚类离子植入
作者:
Masayasu Tanjyo
;
Tsutomu Nagayama
;
Nariaki Hamamoto
;
Sei Umisedo
;
Yuji Koga
;
Noriaki Maehara
;
Takao Matsumoto
;
Nobuo Nagai
;
Fumio Ootsuka
;
Akira Katakami
;
Kiyoshi Shirai
;
Toshinari Watanabe
;
Hiroyuki Nakata
;
Masami Kitajima
;
Takayuki Aoyama
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
13.
Mechanism of nickel disilicide growth caused by RIE plasma-induced damage on silicon substrate
机译:
硅衬底上的血浆诱导损伤引起的镍二硅化物生长的机制
作者:
K. Kashihara
;
K. Kihara
;
T. Yamaguchi
;
T. Okudaira
;
T. Tsutsumi
;
K. Maekawa
;
S. Sakamori
;
J. Matsumoto
;
T. Yokoi
;
K. Asai
;
M. Kojima
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
14.
Thermal Stability Improvement of Ni Germanide utilizing Ni-Pd alloy for Nano-scale Ge MOSFETs
机译:
利用Ni-Pd合金进行纳米级GE MOSFET的镍锗酯的热稳定性改进
作者:
Ying-Ying Zhang
;
Zhun Zhong
;
Shi-Guang Li
;
Soon-Yen Jung
;
Kee-Young Park
;
Ga-Won Lee
;
Jin-Suk Wang
;
Jung-Woo Oh
;
Prashant Majhi
;
Hsing-Huang Tseng
;
Hi-Deok Lee
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
15.
Octadecaborane Implant Technology for 72nm node Stack DRAM p+ Poly Gate Doping Process
机译:
OctandeCaborane植入技术72nm节点堆栈DRAM P +多栅极掺杂过程
作者:
Bill Chang
;
Jonathan Chang
;
Mark Harris
;
Mike Ameen
;
Sandra Tran
;
Michael Hsiao
;
Steve Ji
;
Yiliang Lin
;
Jay Huang
;
P. Y. Tsai
;
Mark Chiu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
16.
Flexibly Controllable Sub-Second Flash Lamp Annealing
机译:
灵活可控的子二闪光灯退火
作者:
Hiroki Kiyama
;
Tatsufumi Kusuda
;
Shinichi Kato
;
Takayuki Aoyama
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
17.
Analysis of Photoconductive Sampling method for Micro PCSS
机译:
微型PCS的光电导采样方法分析
作者:
Liu Qinggang
;
Gao Xia
;
Mao Xurui
;
Lou Xiaona
;
Zhao Heng
;
Zhao Ling
;
Hu Xiaotang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
18.
Evaluation of Al-doped SPE ultrashallow P+N Junctions for use as PNP SiGe HBT Emitters
机译:
评估Al-掺杂的SPE超洛育P + N结用作PNP SIGE HBT发射器
作者:
Yann Civale
;
Gianpaolo Lorito
;
Cuiqin Xu
;
Lis K. Nanver
;
Ramses van der Toorn
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
19.
Investigation of Wafer Temperature Effect During Implant for PMOS Transistor Fabrication
机译:
PMOS晶体管制造过程中植入物晶片温度效应的研究
作者:
Tae-Hoon Huh
;
Byung-Jae Kang
;
Geum-Joo Ra
;
Shin-Woo Kang
;
Steve Kim
;
Ron Reece
;
Leonard M. Rubin
;
Min-Sung Lee
;
Jong-Oh Lee
;
Dong-Chul Park
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
20.
High-power SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) with multiple emitter fingers
机译:
具有多个发射器手指的高功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)
作者:
Shen Pei
;
Zhang Wanrong
;
Jin Dongyue
;
Xie Hongyun
;
Li Jia
;
Gan Junning
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
21.
A Pt/GaN Schottky Diode-Type Hydrogen Sensor with a Thin SiO{sub}2-Passivated Metal/Semiconductor Junction
机译:
具有薄SiO {Sub} 2钝化金属/半导体结的PT / GaN肖特基二极管型氢传感器
作者:
Tsung-Han Tsai
;
Huey-Ing Chen
;
Kun-Wei Lin
;
Ching-Wen Hung
;
Tzu-Pin Chen
;
Li-Yang Chen
;
Kuei-Yi Chu
;
Wen-Chau Liu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
22.
Low-Voltage Green Transistor Using Ultra Shallow Junction and Hetero-Tunneling
机译:
低压绿色晶体管使用超浅结和杂隧道
作者:
Anupama Bowonder
;
Pratik Patel
;
Kanghoon Jeon
;
Jungwoo Oh
;
Prashant Majhi
;
Hsing-Huang Tseng
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
23.
Profiling of Carrier Properties for Shallow Junctions Using a New Sub-nanometer Step-by-step Etching Technique
机译:
使用新的亚纳米逐步蚀刻技术分析浅线的载流子性能
作者:
Kazuo Tsutsui
;
Masamitsu Watanabe
;
Yasumasa Nakagawa
;
Kazunori Sakai
;
Takayuki Kai
;
Cheng-Guo Jin
;
Yuichiro Sasaki
;
Kuniyuki Kakushima
;
Parhat Ahmet
;
Bunji Mizuno
;
Takeo Hattori
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
24.
Study of GaInP/InGaAs Linear Graded Schottky Barrier Double Channel Heterostructure Field-effect Transistors (GDCHFETs)
机译:
GAINP / INGAAS线性分级肖特基势垒双通道异质结构场效应晶体管(GDCHFET)研究
作者:
Kun-Wei Lin
;
Chi-Hsiang Hsu
;
Chia-Jung Chen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
25.
A Pd/Oxide/AlGaAs (MOS) Junction Resistor-Type Hydrogen Sensor
机译:
Pd /氧化物/藻类(MOS)结电阻型氢传感器
作者:
Ching-Wen Hung
;
Huey-Ing Chen
;
Kun-Wei Lin
;
Tsung-Han Tsai
;
Tzu-Pin Chen
;
Li-Yang Chen
;
Kuei-Yi Chu
;
Wen-Chau Liu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
26.
Carrier Density Profiling of Ultra-Shallow Junction Layer Through Corrected C-V Plotting
机译:
超浅结层通过校正的C-V绘图载波密度分析
作者:
James Chen
;
Dimitar Dimitrov
;
Tatiana Dimitrova
;
Paul Timans
;
Jeff Gelpey
;
Steve McCoy
;
Wilfried Lerch
;
Silke Paul
;
Detlef Bolze
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
27.
Flash Lamp Annealing in Diluted Oxygen for Low Sheet Resistance and Ultra-Shallow Junctions: Suppression of wet-cleaning-induced sheet-resistance degradation
机译:
闪光灯在稀释的氧气中退火,用于低薄层电阻和超浅接线:抑制湿式清洗诱导的片状降解
作者:
Shinichi Kato
;
Takayuki Aoyama
;
Takashi Onizawa
;
Yasuo Nara
;
Yuzuru Ohji
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
28.
Improved Formal Passivations of Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
机译:
改进了假形型高电子迁移率晶体管的正式钝化
作者:
Li-Yang Chen
;
Shiou-Ying Cheng
;
Kuei-Yi Chu
;
Jung-Hui Tsai
;
Tzu-Pin Chen
;
Tsung-Han Tsai
;
Wen-Chau Liu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
29.
Controlled Dose-Modulated Ion Implantation on Serial Implanters
机译:
系列植入机上的受控剂量调制的离子注入
作者:
S. Ninomiya
;
Y. Kimura
;
T. Kudo
;
A. Ochi
;
R. Toda
;
M. Tsukihara
;
F. Sato
;
G. Fuse
;
K. Ueno
;
M. Sugitani
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
30.
The Challenges and Progress of USJ Formation Process Integration for 32nm Technology and beyond
机译:
32nm技术及超越USJ形成与流程整合的挑战与进展
作者:
Hsing-Huang Tseng
;
Pankaj Kalra
;
Jungwoo Oh
;
Prashant Majhi
;
Tsu-Jae King Liu
;
Raj Jammy
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
31.
An Advanced Non-classical Self-aligned Quasi-SOI MOSFET with Π-shaped Semiconductor Conductive Layer to Ease Ultra-shallow Junction Requirement
机译:
具有π形半导体导电层的先进的非古典自对准准SOI MOSFET,以简化超浅结请求
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Yi-Chuen Eng
;
Ying-Chieh Tsai
;
Hung-Jen Tseng
;
Yi-Ming Tseng
;
Po-Hsieh Lin
;
Shiang-Shi Kang
;
Jeng-Da Lin
;
Hau-Yuan Huang
;
Kung-Kai Kao
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
32.
Study of Boron Activation by Flash Lamp Annealing from a View of Depth Dependence in Silicon Substrate
机译:
硅衬底深度依赖性闪光灯退火的硼活化研究
作者:
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Kohichi Yamaguchi
;
Takashi Onizawa
;
Yasuo Nara
;
Yuzuru Ohji
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
33.
Investigation of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) with a Step-graded InAlGaAs/InP Collector Structure
机译:
具有阶梯式Ingaas / InP收集器结构的INP / INGAAS双异质结双极晶体管(DHBT)的研究
作者:
Tzu-Pin Chen
;
Wei-Hsin Chen
;
Kuei-Yi Chu
;
Li-Yang Chen
;
Chi-Jhung Lee
;
Shiou-Ying Cheng
;
Jung-Hui Tsai
;
Wen-Chau Liu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
34.
Advanced Junction Engineering Featuring Millisecond Annealing with Co-implantation for 45 nm Node High Performance and Low Standby Power CMOS Technologies
机译:
先进的连接工程,具有毫秒退火,具有共同植入45 NM节点高性能和低备用电源CMOS技术
作者:
T. Yamamoto
;
T. Kubo
;
T. Sukegawa
;
E. Takii
;
M. Fukuda
;
T. Sugisaki
;
H. Kurata
;
S. Satoh
;
M. Kase
;
T. Sugii
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
35.
Extendibility of NiPt Silicide to the 22-nm Node CMOS Technology
机译:
NIPT硅化物与22-NM节点CMOS技术的可扩展性
作者:
Kazuya Ohuchi
;
Christian Lavoie
;
Conal E. Murray
;
Chris P. DEmic
;
Isaac Lauer
;
Jack O. Chu
;
Bin Yang
;
Paul Besser
;
Lynne M. Gignac
;
John Bruley
;
Gilbert U. Singco
;
Francois Pagette
;
Anna W. Topol
;
Michael J. Rooks
;
James J. Bucchignano
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
36.
Nickel Silicidation on Sulfur Implanted Si(100)
机译:
硫磺涂硅酸盐植入Si(100)
作者:
Q. T. Zhao
;
S. Mi
;
C. L. Jia
;
U. Breuer
;
S. Lenk
;
S. Mantl
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
37.
Laser Spike Annealing for Advanced CMOS Devices
机译:
用于高级CMOS器件的激光尖峰退火
作者:
Yun Wang
;
Shaoyin Chen
;
Michael Shen
;
Xiaoru Wang
;
Senquan Zhou
;
Jeff Hebb
;
David Owen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
38.
Plasma Doping (PD) for ultra-Shallow Junction
机译:
超浅结的等离子体掺杂(PD)
作者:
B. MIZUNO
;
K. OKASHITA
;
K. NAKAMOTO
;
C. G. JIN
;
Y. SASAKI
;
K. TSUTSUI
;
H. A. SAUDDIN
;
H. IWAI
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
39.
Implant And Annealing Process Integration Issues To Reduce Device Variability For <10nm p+ n+ Ultra-Shallow junctions
机译:
植入物和退火过程集成问题,降低了<10nM P + + ULL浅浅线的装置变异性
作者:
John O. Borland
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
40.
Ultra-Shallow Junction Formation using Flash Annealing and Advanced Doping Techniques
机译:
使用闪光退火和先进的掺杂技术进行超浅结形成
作者:
J. Gelpey
;
S. McCoy
;
A. Kontos
;
L. Godet
;
C. Hatem
;
D. Camm
;
J. Chan
;
G. Papasouliotis
;
J. Scheuer
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
41.
Embedded Silicon Germanium (eSiGe) technologies for 45nm nodes and beyond
机译:
嵌入式硅锗(ESIGE)技术为45nm节点及超频
作者:
Naoyoshi Tamura
;
Yosuke Shimamune
;
Hirotaka Maekawa
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
42.
Plasma Doping on 68nm CMOS Device Source/Drain Formations
机译:
68nm CMOS器件源/排水形成等离子体掺杂
作者:
Shu Qin
;
Allen McTeer
;
Jeff Hu
;
Jennifer Liu
;
Durga Panda
;
Jigish Trivedi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
关键词:
Plasma doping;
Plasma immersion ion implantation (PIII);
CMOS device performance;
Throughput;
Source and drain formations;
43.
Extremely Ultrashallow Junctions for a High-Linearity Silicon-on-Glass RF Varactor-Diode Technology
机译:
用于高线性硅式玻璃RF变容二极管 - 二极管技术的极超智能开关
作者:
Lis K. Nanver
;
Francesco Sarubbi
;
Viktor Gonda
;
Milos Popadic
;
Tom L. M. Scholtes
;
Wiebe de Boer
;
Koen Buisman
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
44.
Novel Diffusion-less Ultra-Shallow Junction Engineering based on Millisecond Annealing for Sub-30 nm Gate Length Planar Bulk CMOSFET
机译:
基于毫秒退火的新型扩散 - 较少的超浅结工程,用于SUB-30 NM栅极长度平面散装CMOSFET
作者:
K. Uejima
;
K. Yako
;
N. Ikarashi
;
M. Narihiro
;
M. Tanaka
;
T. Nagumo
;
A. Mineji
;
S. Shishiguchi
;
M. Hane
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
45.
Recent advances in metallic source/drain MOSFETs
机译:
金属源/漏极MOSFET的最新进展
作者:
E. Dubois
;
G. Larrieu
;
N. Breil
;
R. Valentin
;
F. Danneville
;
D. Yarekha
;
G. Dambrine
;
A. Halimaoui
;
A. Pouydebasque
;
T. Skotnicki
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
46.
Simulation on Plasma Doping for Shallow Junction Formation
机译:
浅近结型等等离子体掺杂的仿真
作者:
Min Yu
;
Huihui Ji
;
Ming Li
;
Ru Huang
;
Xing Zhang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
47.
Computer modeling of cluster ion impacts
机译:
集群离子影响的计算机建模
作者:
Takaaki Aoki
;
Toshio Seki
;
Jiro Matsuo
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
48.
Defect Evolution and C{sup}+/F{sup}+ Co-implantation in Millisecond Flash annealed Ultra-Shallow Junctions
机译:
缺陷evolution和c {sup} + / f {sup} +共植入毫秒闪光退火超浅线
作者:
F. Cristiano
;
E. M. Bazizi
;
P. F. Fazzini
;
S. Paul
;
W. Lerch
;
S. Boninelli
;
R. Duffy
;
A. Pakfar
;
H. Bourdon
;
F. Milesi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
49.
Process Models for Advanced Annealing Schemes and their Use in Device Simulation
机译:
高级退火方案的过程模型及其在设备仿真中的应用
作者:
P. Pichler
;
A. Martinez-Limia
;
C. Kampen
;
A. Burenkov
;
J. Schermer
;
S. Paul
;
W. Lerch
;
J. Gelpey
;
S. McCoy
;
H. Kheyrandish
;
A. Pakfar
;
C. Tavernier
;
D. Bolze
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
50.
Effects of Resist Strip and Clean on USJ Performance
机译:
抗蚀条带清洁对USJ性能的影响
作者:
I. L. Berry
;
C. Waldfried
;
K. Han
;
S. Luo
;
R. Sonnemans
;
M. Ameen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
51.
Ultra Shallow Junctions fabrication by Plasma Immersion Implantation on PULSION followed by different annealing processes
机译:
通过等离子体浸入式鞘膜上的超浅线,不同的退火过程
作者:
H. Etienne
;
V. Vervisch
;
F. Torregrosa
;
T. Sarnet
;
P. Delaporte
;
F. Cristiano
;
P. F. Fazzini
;
L. Roux
;
G. Sempere
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2008年
52.
Molecular Carbon Implant Technology for Ultra-Shallow Junction Formation and n-MOSFET Strain Application in a 40nm Node Logic Device
机译:
用于40nM节点逻辑装置的超浅结形成和N-MOSFET应变应用的分子碳植入技术
作者:
Phoenix Kuo
;
Ching I Li
;
Po Wei Liu
;
Hsien Hsiu Lai
;
Ron Liu
;
Michael Chan
;
C. N. Yang
;
J. Y. Wu
;
B. Chang
;
E. Tien
;
J. Shiu
;
L. Rubin
;
D. Tieger
;
M. S. Ameen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
53.
Study of damage accumulation and annealing process at low energy boron implantation using molecular dynamics simulations
机译:
利用分子动力学模拟研究低能量硼植入损伤积累和退火过程的研究
作者:
Takaaki Aoki
;
Jiro Matsuo
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
54.
Anomalous Amorphization Resistance of Ge against ~(11)B~+ Implantation
机译:
Ge的异常非晶态抗性抗〜(11)B〜+植入
作者:
Kentaro Shibahara
;
Kosei Osada
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
55.
Stress Measurement of Carbon Cluster implanted layers with in-plane Diffraction Technique
机译:
具有面内衍射技术的碳簇植入层的应力测量
作者:
Jiro Matsuo
;
Kazuya Ichiki
;
Masaki Hada
;
Satoshi Ninomiya
;
Toshio Seki
;
Takaaki Aoki Tsutomu Nagayama
;
Masayasu Tanjyo
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
56.
Growth Mechanism of Epitaxial NiSi_2 in Atomic-Scale for Schottky Source/Drain in Silicon Nanowire Transistors
机译:
硅纳米线晶体管中肖特基源/漏极原子尺度外延NISI_2的生长机理
作者:
S. Migita
;
Y. Morita
;
N. Taoka
;
W. Mizubayashi
;
H. Ota
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
57.
Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts
机译:
界面结构对金属/葛肖特基触点电性能的影响
作者:
Osamu Nakatsuka
;
Shingo Akimoto
;
Tsuyoshi Nishimura
;
Shigeaki Zaima
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
58.
Diffusion-less Ultra-Shallow p~+/n Junction Formation in Si Using Low-Temperature Solid Phase Epitaxy and Non-Melt Laser Annealing
机译:
使用低温固相外延和非熔体激光退火的Si中扩散较少的超浅P〜+ / n结形成
作者:
R. Kaneko
;
S. Hara
;
T. Fukaya
;
S. Matsumoto
;
T. Suzuki
;
G. Fuse
;
T. Kudo
;
S. Sakuragi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
关键词:
Ultra-shallow junction;
Low-temperature annealing;
Non-melt laser annealing;
59.
Influence of Amorphization Depth on Sheet Resistance in Shallow Junction Formation with B Cluster Implantation
机译:
用B簇植入浅接线形成薄层化深度对薄层抗性的影响
作者:
Yoji Kawasaki
;
Yoshiki Maruyama
;
Hidefumi Yoshimura
;
Hiroshi Miyatake
;
Kentaro Shibahara
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
60.
The Impact of Junction Depth on Vertical Sidewall MOSFETs with Embedded Gate
机译:
带嵌入式闸门垂直侧壁MOSFET的结深度的影响
作者:
Chih-Hao Kuo
;
Jyi-Tsong Lin
;
Tai-Yi Lee
;
Yi-Chuen Eng
;
Tzu-Feng Chang
;
Po-Hsieh Lin
;
Hsuan-Hsu Chen
;
Chih-Himg Sun
;
Hsien-Nan Chiu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
61.
Correlation of Device Performance to Die-Level Stress Variations
机译:
设备性能与模级应力变化的相关性
作者:
David M. Owen
;
Christian Otten
;
Haowen Bu
;
Yun Wang
;
Shrinivas Shetty
;
Jeff Hebb
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
62.
Impact of Laser Spike Annealing Dwell Time on Wafer Stress and Photolithography Overlay Errors
机译:
激光尖峰退火停留时间对晶片应力和光刻覆盖误差的影响
作者:
Shrinivas Shetty
;
Amitabh Jain
;
David M.Owen
;
Jeffrey Mileham
;
Jeff Hebb
;
Yun Wang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
63.
A Comparative Study of Double Gate MOSFET with Asymmetric Barrier Heights at Source/Drain and the Symmetric DG-SBFET
机译:
双闸MOSFET在源/漏极和对称DG-SBFET中具有不对称屏障高度的双闸MOSFET
作者:
Du Xiong-Xiong
;
Sun Lei
;
Liu Xiao-Yan
;
Han Ru-Qi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
64.
Dopant Segregated Schottky S/D and Application to High Performance MOSFETs
机译:
掺杂剂隔离肖特基S / D和应用于高性能MOSFET
作者:
Atsuhiro Kinoshita
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
65.
Anomalous Behavior in the Dependence of Carrier Activation on Implant Dose for Extremely Shallow Source/Drain Extensions Activated by Flash Lamp Annealing
机译:
闪光灯退火激活载体激活对植入剂剂量的植入剂量依赖性的异常行为
作者:
Shinichi Kato
;
Takashi Onizawa
;
Takayuki Aoyama
;
Kazuto Ikeda
;
Yuzuru Ohji
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
66.
Recent Advance in Single-Ion Implantation Method for Single-Dopant Devices
机译:
单离子植入方法最近的单掺杂剂装置
作者:
Takahiro Shinada
;
Masahiro Hori
;
Keigo Taira
;
Tetsuo Endoh
;
Iwao Ohdomari
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
67.
Junction Technologies for Devices with Steep Sub threshold Swing
机译:
具有陡峭阈值摆幅的设备的结合技术
作者:
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
68.
V_(th) Control by Halo Implantation using the SEN's MIND system
机译:
v_(th)通过光晕植入使用森脑系统来控制
作者:
S. Ninomiya
;
Y. Kimura
;
T. Kudo
;
A. Ochi
;
F. Sato
;
M. Tsukihara
;
G. Fuse
;
M. Sugitani
;
K. Tada
;
H. Kamiyanagi
;
S. Shibata
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
69.
Analyses of Random Threshold Voltage Fluctuations in MOS Devices
机译:
MOS器件随机阈值电压波动分析
作者:
K. Takeuchi
;
T. Tsunomura
;
A. T. Putra
;
T. Fukai
;
A. Nishida
;
S. Kamohara
;
T. Hiramoto
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
70.
Fundamental Study on the Impact of C Co-Implantation on Ultra Shallow B Junctions
机译:
关于C共植入对超浅B结影响的根本研究
作者:
G. Zschatzsch
;
W. Vandervorst
;
T. Hoffmann
;
J.-L. Everaert
;
J. I. del Agua Borniquel
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
71.
Junction Anneal Sequence Optimization for Advanced High-K/Metal Gate CMOS Technology
机译:
高级高k /金属门CMOS技术的结射流序列优化
作者:
C. Ortolland
;
L.-A. Ragnarsson
;
C. Keraer
;
T. Chiarella
;
E. Rosseel
;
Y. Okuno
;
P. Favia
;
O. Richard
;
J.-L. Everaert
;
T. Schram
;
S. Kubicek
;
P. P. Absil
;
S. Biesemans
;
R. Schreutelkamp
;
T. Hoffmann
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
72.
Ultra-Shallow Carborane Molecular Implant for 22-nm node p-MOSFET Performance Boost
机译:
用于22-NM节点P-MOSFET性能提升的超浅碳硼烷分子植入物
作者:
B. Colombeau
;
T. Thanigaivelan
;
E. Arevalo
;
T. Toh
;
R. Miura
;
H. Ito
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
73.
Transistor Evolution for CMOS Extension and Future Information Processing Technologies
机译:
CMOS扩展和未来信息处理技术的晶体管演进
作者:
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
74.
Implant Damage Evaluation at High Energy and Low Dose Ion Implantation using White Defect of CCD Image Sensor
机译:
使用CCD图像传感器的白色缺陷在高能量和低剂量离子注入时植入损伤评估
作者:
Emi Kanazaki
;
Naoki Iwawaki
;
Fumitoshi Kawase
;
Satoshi Shibata
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
75.
Electron Holography for 2-D Dopant Profiling
机译:
用于2-D掺杂剂分析的电子全息术
作者:
Michael A. Gribelyuk
;
Jun Yuan
;
Oleg Gluschenkov
;
Paul Ronsheim
;
Huiling Shang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
76.
Advanced Technologies for Enhancing Drive Current of High-Density Transistors
机译:
用于增强高密度晶体管的驱动电流的先进技术
作者:
Hidenobu Fukutome
;
Yoichi Momiyama
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
77.
Characterization of Uni-axially Stressed Si and Ge Concentration in Si_(1-x)Ge_x using Polychromator-based Multi-wavelength Raman Spectroscopy
机译:
基于多彩器的多波长拉曼光谱法的Si_(1-x)Ge_x中的单轴应力Si和Ge浓度的表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Takeshi Ueda
;
Kitaek Kang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
78.
Plasma Doping for 3D and 2D devices
机译:
等离子体掺杂3D和2D设备
作者:
Bunji Mizuno
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
79.
Two-dimensional Carrier Profiling with Sub-nm Resolution Using SSRM: From Basic Concept to TCAD Calibration and Device Tuning
机译:
使用SSRM与子NM分辨率的二维载体分析:从基本概念到TCAD校准和设备调谐
作者:
Pierre Eyben
;
Sri-Charan Vemula
;
Taiji Noda
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
80.
Characterization of Junction Activation and Deactivation Using non-Equilibrium Annealing: Solid Phase Epitaxy, Spike Annealing, Laser Annealing Instructions for
机译:
使用非平衡退火的结置活化和去激活的表征:固相外延,尖峰退火,激光退火指令
作者:
M. Bersani
;
G. Pepponi
;
D. Giubertoni
;
S. Gennaro
;
M. A. Sahiner
;
S. P. Kelty
;
M. Kah
;
K. J. Kirkby
;
R. Doherty
;
M. A. Foad
;
F. Meirer
;
C. Streli
;
J. C. Woicik
;
P. Pianetta
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
81.
Advanced Plasma Doping Technique for USJ
机译:
USJ的先进等离子体掺杂技术
作者:
Ludovic Godet
;
George D. Papasouliotis
;
Alex Kontos
;
Timothy Miller
;
Vikram Singh
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
82.
Multi-Functional Annealing Using Flexibly-Shaped-Pulse Flash Lamp Annealing (FSP-FLA) for High-k/Metal Gated CMOS Devices
机译:
用于高k /金属门控CMOS器件的柔性形状脉冲闪光灯退火(FSP-FLA)的多功能退火
作者:
Takayuki AOYAMA
;
Shin-ichi KATO
;
Takashi ONIZAWA
;
Kazuto IKEDA
;
Yuzuru OHJI
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
83.
Electrical Transport characterization of nano CMOS devices with ultra-thin silicon film
机译:
用超薄硅膜的纳米CMOS器件电气传输表征
作者:
G. Ghibaudo
;
M. Mouis
;
L. Pham-Nguyen
;
K. Bennamane
;
I. Pappas
;
A. Cros
;
G. Bidal
;
D. Floury
;
A. Claverie
;
G. Benassayag
;
P.-F. Fazzini
;
C. Fenouillet-Beranger
;
S. Monfray
;
F. Boeuf
;
S. Cristoloveanu
;
T. Skotnicki
;
N. Collaert
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
84.
Formation of USJ with cluster implants for 32nm node and beyond
机译:
用簇植入形成32nm节点的USJ的形成
作者:
Karuppanan Sekar
;
Wade Krull
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2009年
85.
Advanced Power Semiconductor Technologies for Efficient Energy Conversion
机译:
高级电力半导体技术,用于高效能量转换
作者:
Gourab Majumdar
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Advanced;
Power Semiconductor;
Technologies;
86.
Advanced power semiconductor technologies for efficient energy conversion
机译:
高级电力半导体技术,用于高效能量转换
作者:
Majumdar Gourab
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
87.
Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si platform by SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth using RTA technique
机译:
使用RTA技术通过SiGe混合触发的快速熔化生长在Si平台上形成Ge-Insulator结构
作者:
Mizushima Ichiro
;
Sadoh Taizoh
;
Miyao Masanobu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
88.
Influence of STI stress on leakage current in buried P-N junction
机译:
STI应力对埋藏P-N交界处漏电流的影响
作者:
Tomimatsu Takahiro
;
Yamaguchi Tadashi
;
Mizuo Mariko
;
Yamashita Tomohiro
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
89.
A Low Temperature Ohmic Contact Process for n-type Ge Substrates
机译:
用于N型GE基材的低温欧姆接触过程
作者:
K. Kakushima
;
R. Yoshihara
;
K. Tsutsui
;
H. Iwai
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Temperature;
Ohmic Contact;
Process;
90.
A low temperature Ohmic contact process for n-type Ge substrates
机译:
用于N型GE基材的低温欧姆接触过程
作者:
Kakushima K.
;
Yoshihara R.
;
Tsutsui K.
;
Iwai H.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
91.
Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth using RTA Technique
机译:
使用RTA技术通过SiGe混合触发的快速熔化生长在Si平台上形成Ge-Insulator结构
作者:
Ichiro Mizushima
;
Taizoh Sadoh
;
Masanobu Miyao
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Formation;
Ge-on-Insulator;
Structures;
92.
Integration of millisecond and spike anneals for dopant activation optimization
机译:
毫秒和尖峰退火的整合掺杂剂激活优化
作者:
Sun Shiyu
;
Sharma Shashank
;
Rao K.V.
;
Ng Ben
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
93.
Formation of arsenic segregated Ytterbium and Nickel silicide using microwave annealing
机译:
使用微波退火形成砷隔离的YTTerbium和镍硅化物
作者:
Huang Ming-Kun
;
Wu Wen-Fa
;
Shih Chun-Hsing
;
Chen Shen-Li
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
94.
Formation of ultra-shallow junctions with pre-amorphization implant and microwave annealing
机译:
形成超浅线,具有前非混合植入物和微波退火
作者:
Peng Xu
;
Xiangbiao Zhou
;
Na Zhao
;
Dan Zhao
;
Dongping Wu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Formation;
ultra-shallow junctions;
pre-amorphization;
95.
Characteristic of pn junction formed in 4H-SiC by using excimer-laser processing in phosphoric solution
机译:
在4H-SiC中使用准分激光加工在磷酸溶液中形成的PN结的特征
作者:
Akihiro Ikeda
;
Nishi Koji
;
Marui Daichi
;
Ikenoue Hiroshi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
96.
Metal gate work function modulation by ion implantation for multiple threshold voltage FinFET devices
机译:
金属栅极工作功能通过离子注入多阈值电压FinFET器件调制
作者:
Han Keping
;
Hsu Peng-Fu
;
Beach Matthew
;
Henry Todd
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
97.
Characteristic of pn Junction Formed in 4H-SiC by using Excimer-laser Processing in Phosphoric Solution
机译:
在4H-SiC中使用准分激光加工在磷酸溶液中形成的PN结的特征
作者:
Ikeda Akihiro
;
Koji Nishi
;
Daichi Marui
;
Hiroshi Ikenoue
;
Tanemasa Asano
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Characteristic;
Junction Formed;
Phosphoric Solution;
98.
Metal Gate Work Function Modulation by Ion Implantation for Multiple Threshold Voltage FinFET Devices
机译:
金属栅极工作功能通过离子注入多阈值电压FinFET器件调制
作者:
Keping Han
;
Peng-Fu Hsu
;
Matthew Beach
;
Todd Henry Naomi Yoshida
;
Adam Brand
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Metal Gate;
Function Modulation;
Voltage FinFET;
99.
Integration of Millisecond and Spike Anneals for Dopant Activation Optimization
机译:
毫秒和尖峰退火的整合掺杂剂激活优化
作者:
Shiyu Sun
;
Shashank Sharma
;
K.V. Rao
;
Ben Ng
;
Dimitry Kouzminov
;
Ben Colombeau
;
Naushad Variam
;
Shankar Muthukrishnan
;
Abhilash Mayur
;
Adam Brand
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Integration;
Millisecond;
Spike Anneals;
100.
Formation of Arsenic Segregated Ytterbium and Nickel Silicide Using Microwave Annealing
机译:
使用微波退火形成砷隔离的YTTerbium和镍硅化物
作者:
Ming-Kun Huang
;
Wen-Fa Wu
;
Chun-Hsing Shih
;
Shen-Li Chen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2013年
关键词:
Formation;
Arsenic Segregated;
Ytterbium;
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