Plasma doping; Plasma immersion ion implantation (PIII); CMOS device performance; Throughput; Source and drain formations;
机译:具有金属源极/漏极和掺杂源极/漏极的对称超薄双栅极器件的比较研究
机译:使用栅极感应的漏极泄漏电流进行电荷注入,以表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏
机译:使用栅极感应的漏极泄漏电流进行电荷注入,以表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏
机译:在68nm CMOS器件源极/漏极结构上进行等离子体掺杂
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:使用栅极感应的漏极泄漏电流进行电荷注入,以表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏
机译:使用阴影沉积技术制备和表征具有50个非均源漏极分子的分子晶体管:朝着更快,更灵敏的分子为基础的器件