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成立; 李春明; 王振宇; 祝俊;
江苏大学电气与信息工程学院;
南通工学院计算机科学系;
集成电路; 纳米CMOS器件; 超浅结离子掺杂; 等离子体浸没掺杂; 投射式气体浸入激光掺杂; 离子淋浴掺杂;
机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:0.1微米以下CMOS器件采用等离子浸入离子注入和激光退火的超浅P + / N结
机译:B {sub} 2H {sub} 6 / He自调节等离子体掺杂技术,用于精确控制的超浅注入,以共形掺杂到3D鳍片器件和平面器件中
机译:具有超浅结LSI产量和表面污染问题的下一代CMOS工艺的新掺杂技术-等离子掺杂
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:(受邀)用于硅基器件中超浅结的B和Ga的纯掺杂剂沉积
机译:溅射引发的共振电离光谱:半导体中杂质和超浅掺杂分布的定量和灵敏测量的分析技术
机译:CMOS器件结构,通过使用超浅结扩展离子注入,降低了硅化物桥接的风险并降低了电阻
机译:通过使用超浅,结扩展,离子注入工艺,降低了硅化物桥接风险并降低了电阻的CMOS器件结构
机译:适用于中低压电源管理应用的浅沟道CMOS兼容超结器件结构
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