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王光伟; 宋延民; 张建民; 郑宏兴;
天津工程师范学院电子工程系;
激光退火; 激光掺杂; 集成电路; 纳米尺度; 超浅结;
机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:65纳米以下技术节点的等离子体掺杂和激光退火技术形成超浅结
机译:低能BF_3等离子体掺杂和KrF受激准分子激光退火制备的超浅p〜+ / n结
机译:低电阻率的锗硅化镍与超浅结的接触,该浅结由用于纳米级CMOS的选择性Si_(1-x)Ge_x技术形成
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:通过注入等离子体激元感应的热电子从光泵浦分子隧穿结中获得超发光
机译:超浅结形成技术研究及其在硅集成电路工艺设计中的应用
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。
机译:退火方法,超浅结层形成方法和超浅结层形成装置
机译:在半导体晶片中形成超浅结的方法,该超浅结具有从气体前体沉积的硅层以减少水杨酸化过程中的硅消耗
机译:使用非晶硅覆盖层的纳米MOS器件的超浅结形成
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