PAI+LEI形成适用于深亚微米MOS器件中SD Extension区超浅结的工艺研究

著录项

• 来源
  《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|294-297|共4页
• 会议地点 大连
• 作者

  殷华湘; 高文方; 索俊生; 徐秋霞;

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• 作者单位

  中国电子学会;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 掺杂;
• 关键词

  深亚微米MOS器件; 超浅结; 离子注入;