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Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US
Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US
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1.
Hybrid Valence Bands in Strained-Layer Heterostructures grown on Relaxed SiGe Virtual Substrates
机译:
在松弛SiGe虚拟衬底上生长的应变层异质结构中的混合价带。
作者:
Minjoo L. Lee
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
2.
Low Resistivity Nickel Germanosilicide Contacts to Ultra-shallow Junctions Formed by the Selective Si_(1-x)Ge_x Technology for Nanoscale CMOS
机译:
低电阻率的锗硅化镍与超浅结的接触,该浅结由用于纳米级CMOS的选择性Si_(1-x)Ge_x技术形成
作者:
Jing Liu
;
Hongxiang Mo
;
Mehmet C. Oeztuerk
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
3.
Kinetics Of Charge Generation During Formation Of Hf And Zr Silicate Dielectrics
机译:
Hf和Zr硅酸盐电介质形成过程中电荷产生的动力学
作者:
Theodosia Gougousi
;
M. Jason Kelly
;
Gregory N. Parsons
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
4.
Process Optimization for Multiple-Pulses Laser Annealing for Boron Implanted Silicon with Germanium Pre-amorphization
机译:
锗预非晶化硼注入硅的多脉冲激光退火工艺优化
作者:
Debora Poon
;
Byung Jin Cho
;
Yong Feng Lu
;
Leng Seow Tan
;
Mousumi Bhat
;
Alex See
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
5.
Short-period (Si_(14)/Si_(0.75)Ge_(0.25))_(20) Superlattices for the Growth of High-quality Si_(0.75)Ge_(0.25) Alloy Layers
机译:
用于高质量Si_(0.75)Ge_(0.25)合金层生长的短周期(Si_(14)/ Si_(0.75)Ge_(0.25))_(20)超晶格
作者:
M.M. Rahman
;
T. Tambo
;
C. Tatsuyama
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
6.
Scalability of MOCVD-deposited Hafnium Oxide
机译:
MOCVD沉积氧化Ha的可扩展性
作者:
S. Van Elshocht
;
R. Carter
;
M. Caymax
;
M. Claes
;
T. Conard
;
L. Date
;
S. De Gendt
;
V. Kaushik
;
A. Kerber
;
J. Kluth
;
G. Lujan
;
J. Petry
;
D. Pique
;
O. Richard
;
E. Rohr
;
Y. Shimamoto
;
W. Tsai
;
M.M. Heyns
会议名称:
《》
|
2003年
7.
Theory and Simulation of Dopant Diffusion in SiGe
机译:
SiGe中掺杂扩散的理论与模拟
作者:
Chun-Li Liu
;
Marius Orlowski
;
Aaron Thean
;
Alex Barr
;
Ted White
;
Bich-Yen Nguyen
;
Heman Rueda
;
Xiang-Yang Liu
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
8.
The Pr_2O_3/Si(001) Interface: a Mixed Si-Pr Oxide
机译:
Pr_2O_3 / Si(001)界面:混合的Si-Pr氧化物
作者:
Dieter Schmeisser
;
Jarek Dabrowski
;
Hans-Joachim Muessig
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
9.
Flat-band Voltage Study Of Atomic-layer-Deposited Aluminum-oxide Subjected To Spike Thermal Annealing
机译:
尖峰热退火的原子层沉积氧化铝的平带电压研究
作者:
V. R. Mehta
;
A. T. Fiory
;
N. M. Ravindra
;
M. Y. Ho
;
G. D. Wilk
;
T. W. Sorsch
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
10.
Investigation and modeling of fluorine co-implantation effects on dopant redistribution
机译:
氟共注入对掺杂物再分布影响的研究与建模
作者:
M. Diebel
;
S. Chakravarthi
;
S.T. Dunham
;
C.F. Machala
;
S. Ekbote
;
A. Jain
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
11.
Impact of Gate Process Technology on EOT of HfO_2 Gate Dielectric
机译:
栅极工艺技术对HfO_2栅极电介质EOT的影响
作者:
Daewon Ha
;
Qiang Lu
;
Hideki Takeuchi
;
Tsu-Jae King
;
Katsunori Onishi
;
Young-Hee Kim
;
Jack C. Lee
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
12.
Low Schottky Barrier on N-Type Si for N-Channel Schottky Source/Drain MOSFETs
机译:
用于N沟道肖特基源极/漏极MOSFET的N型硅上的低肖特基势垒
作者:
Meng Tao
;
Darshak Udeshi
;
Shruddha Agarwal
;
Nasir Basil
;
Eduardo Maldonado
;
Wiley P. Kirk
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
13.
High-k materials for advanced gate stack dielectrics: a comparison of ALCVD and MOCVD as deposition technologies
机译:
用于高级栅堆叠电介质的高k材料:ALCVD和MOCVD作为沉积技术的比较
作者:
Matty Cavmax
;
H. Bender
;
B. Brijs
;
T. Conard
;
S. De Gendt
;
A. Delabie
;
M. Heyns
;
B. Onsia
;
L.Ragnarsson
;
O. Richard
;
W. Vandervorst
;
S. Van Elshocht
;
C. Zhao
;
J.W. Maes
;
L. Date
;
D. Pique
;
E. Young
;
W. Tsai
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
14.
Free standing silicon as a compliant substrate for SiGe
机译:
独立式硅作为符合SiGe标准的衬底
作者:
G. M. Cohen
;
P. M. Mooney
;
J.O. Chu
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
15.
Evaluation of tetrakis(diethylamino)hafnium Precursor in the Formation of Hafnium Oxide Films Using Atomic Layer Deposition
机译:
原子层沉积法评估氧化ki薄膜中四(二乙氨基)ha的前体
作者:
Ronald Inman
;
Anand Deshpande
;
Gregory Jursich
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
16.
Diffusion of Boron in Germanium and Si_(1-x)Ge_x (x>50) alloys
机译:
硼在锗和Si_(1-x)Ge_x(x> 50%)合金中的扩散
作者:
Suresh Uppal
;
A.F.W. Willoughby
;
J.M. Bonar
;
N.E.B. Cowern
;
R.J.H. Morris
;
M. Bollani
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
17.
Atomistic Simulations of Effect of Coulombic Interactions on Carrier Fluctuations in Doped Silicon
机译:
库仑相互作用对掺杂硅中载流子涨落影响的原子模拟
作者:
Zudian Qin
;
Scott T. Dunham
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
18.
Dopant Diffusion Simulation in Thin-SOI
机译:
薄SOI中的掺杂扩散模拟
作者:
Hong-Jyh Li
;
Robin Tichy
;
Jonathon Ross
;
Jeff Gelpey
;
Ben Stotts
;
Heather Galloway
;
Larry Larson
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
19.
B Diffusion in Low Energy B/BF2 Implants with Pre-Amorphization of Different Species
机译:
低能B / BF2植入物中B的扩散与不同物种的预非晶化
作者:
Hong-Jyh Li
;
Todd Rhoad
;
Peter Zeitzoff
;
Robin Tichy
;
Larry Larson
;
Sanjay Banerjee
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
20.
Ultra-shallow junction formation by excimer laser annealing of ultra-low energy B implanted in Si
机译:
准分子激光退火注入硅中的超低能量B,形成超浅结
作者:
G. Fortunato
;
L. Mariucci
;
V. Privitera
;
A. La Magna
;
S. Whelan
;
G. Mannino
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
21.
LS-MOCVD of BSTO Thin Films Using Novel Ba and Sr Precursors
机译:
使用新型Ba和Sr前驱体的BSTO薄膜的LS-MOCVD
作者:
Hyun Goo Kwon
;
Youngwoo Oh
;
Jung Woo Park
;
Young Kuk Lee
;
Chang Gyoun Kim
;
Yunsoo Kim
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
22.
Relaxed SiGe Layers with High Ge Content by Compliant Substrates
机译:
符合要求的衬底的高Ge含量弛豫SiGe层
作者:
H. Yin
;
R.L. Peterson
;
K.D. Hobart
;
S.R. Shieh
;
T.S. Duffy
;
J.C. Sturm
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
23.
A New Parameter Predicating G_m for Ultra Thin Nitrided Gate Oxide
机译:
超薄氮化栅氧化物的新参数预测G_m
作者:
Mitsuaki Hori
;
Naoyoshi Tamura
;
Masataka Kase
;
Hiroko Sakuma
;
Hiroyuki Ohota
;
Mayumi Shigeno
;
Yuuzi Kataoka
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
24.
A Comparison of Spike, Flash, SPER and Laser Annealing for 45nm CMOS
机译:
45nm CMOS的峰值,闪光,SPER和激光退火的比较
作者:
R. Lindsay
;
B. Pawlak
;
J. Kittl
;
K. Henson
;
C. Torregiani
;
S. Giangrandi
;
R. Surdeanu
;
W. Vandervorst
;
A. Mayur
;
J. Ross
;
S. McCoy
;
J. Gelpey
;
K. Elliott
;
X. Pages
;
A. Satta
;
A. Lauwers
;
P. Stolk
;
K. Maex
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
25.
NiSi formation in the Ni(Ti) /SiO_2/Si System
机译:
Ni(Ti)/ SiO_2 / Si体系中的NiS形成
作者:
R.T.P. Lee
;
D.Z. Chi
;
S.J. Chua
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
26.
Physics-Based Diffusion Simulations for Preamorphized Ultrashallow Junctions
机译:
预变形超浅结的基于物理的扩散模拟
作者:
N.E.B. Cowern
;
B. Colombeau
;
E. Lampin
;
F. Cristiano
;
A. Claverie
;
Y. Lamrani
;
R. Duffy
;
V. Venezia
;
A. Heringa
;
C.C. Wang
;
C. Zechner
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
27.
Physical-Chemical Evolution of Hf-aluminates upon Thermal Treatments
机译:
热处理后H铝酸盐的物理化学演变
作者:
B. Crivelli
;
M. Alessandri
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D. Brazzelli
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A. C. Elbaz
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G. Ghidini
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J. W. Maes
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会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
28.
Low temperature Si_(0.85)Ge_(0.15) oxynitridation in wet-nitric oxide ambient
机译:
湿一氧化氮环境中的低温Si_(0.85)Ge_(0.15)氮氧化
作者:
Anindya Dasgupta
;
Christos G. Takoudis
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
29.
Limiting Native Oxide Regrowth for High-k Gate Dielectrics
机译:
限制高k栅极电介质的原生氧化物再生
作者:
K. Choi
;
H. Harris
;
S. Gangopadhyay
;
H. Temkin
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
|
2003年
30.
Performance of Pt-based low Schottky barrier silicide contacts on weakly doped silicon
机译:
弱掺杂硅上基于Pt的低肖特基势垒硅化物接触的性能
作者:
Guilhem Larrieu
;
Emmanuel Dubois
;
Xavier Wallart
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
31.
SEGREGATION AND DIFFUSION OF Sb COMPARED TO As FOR ULTRA-SHALLOW IMPLANTATION INTO SILICON
机译:
与超浅埋入硅相比,Sb的偏析和扩散
作者:
D. Krueger
;
P.Zaumseil
;
V. Melnik
;
R. Kurps
;
P. Formanek
;
D. Bolze
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
32.
RELAXATION OF SiGe FILMS FOR THE FABRICATION OF STRAINED Si DEVICES
机译:
SiGe薄膜的松弛用于制造应变Si器件
作者:
J.S. Maa
;
D. J. Tweet
;
J.J. Lee
;
S.T. Hsu
;
K. Fujii
;
T. Naka
;
T. Ueda
;
T. Baba
;
N. Awaya
;
K. Sakiyama
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
33.
Silicides for 65 nm CMOS and Beyond
机译:
用于65 nm CMOS及以上的硅化物
作者:
Jorge A. Kittl
;
Anne Lauwers
;
Oxana Chamirian
;
Mark Van Dal
;
Amal Akheyar
;
Olivier Richard
;
Judit G. Lisoni
;
Muriel De Potter
;
Richard Lindsay
;
Karen Maex
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
34.
Search for New High-κ Dielectrics by Combinatorial Chemical Vapor Deposition
机译:
通过组合化学气相沉积寻找新的高κ电介质
作者:
Bin Xia
;
Ryan Smith
;
Fang Chen
;
Stephen A. Campbell
;
Wayne L. Gladfelter
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
35.
Study Using Elements from Group IIA as Barriers for Dopant Penetration into Gate Dielectrics and Getters for Metallic Ion Contamination
机译:
使用IIA组元素作为阻挡层将掺杂剂渗透到栅极电介质和用于金属离子污染的吸气剂的研究
作者:
Vladimir Zubkov
;
Grace Sun
;
Sheldon Aronowitz
;
Margaret A. Gabriel
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
36.
Stacked Metal Layers as Gates for MOSFET Threshold Voltage Control
机译:
堆叠金属层作为MOSFET阈值电压控制的栅极
作者:
Wei Gao
;
John F. Conley
;
Yoshi Ono
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
37.
Thin HfO_2 Films Deposited via Alternating Pulses of Hf(NO_3)_4 and HfCl_4
机译:
通过Hf(NO_3)_4和HfCl_4的交替脉冲沉积的HfO_2薄膜
作者:
J.F. Conley
;
Jr.
;
Y. Ono
;
R. Solanki
;
D.J. Tweet
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
38.
Formation of NiSi-silicided p~+n shallow junctions using implant through silicide and low temperature furnace annealing
机译:
通过硅化物注入和低温炉退火形成NiSi硅化的p〜+ n浅结
作者:
Chao-Chun Wang
;
Chiao-Ju Lin
;
Mao-Chieh Chen
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
39.
Indium in silicon: a study on diffusion and electrical activation
机译:
硅中的铟:扩散和电活化的研究
作者:
S. Scalese
;
A. La Magna
;
G. Mannino
;
V. Privitera
;
M. Bersani
;
D. Giubertoni
;
S. Solmi
;
P. Pichler
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
40.
Evolution of SOI MOSFETs: from Single Gate to Multiple Gates
机译:
SOI MOSFET的发展:从单栅极到多栅极
作者:
Jean-Pierre Colinge
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
41.
Experiment and Modelisation Results on Laser Thermal Processing for Ultra-Shallow Junction Formation : Influence of Laser Pulse Duration
机译:
超浅结形成的激光热处理实验和模型化结果:激光脉冲持续时间的影响
作者:
J. Venturini
;
M. Hernandez
;
D. Zahorski
;
G. Kerrien
;
T. Sarnet
;
D. Debarre
;
J. Boulmer
;
C. Laviron
;
M.-N. Semeria
;
D. Camel
;
J.-L. Santailler
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
42.
Boron Segregation and Out-diffusion in Single-Crystal Si_(1-y)C_y
机译:
单晶Si_(1-y)C_y中硼的偏析与扩散
作者:
E. J. Stewart
;
J.C. Sturm
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
43.
Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide Thin Films from Tetrakis(dimethylamino)Hafnium (TDMAH) and Ozone
机译:
四(二甲基氨基)H(TDMAH)和臭氧形成氧化Ha薄膜的原子层沉积
作者:
Xinye Liu
;
Sasangan Ramanathan
;
Thomas E. Seidel
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
44.
A Technique for Source/Drain Elevation using Implantation Mediated Selective Etching
机译:
利用植入介导的选择性刻蚀进行源/漏高程的技术
作者:
M. Q. Huda
;
K. Sakamoto
会议名称:
《Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US》
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2003年
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