4H Silicon Carbide; Metal Semiconductor Field Effect Transistor; Drain induced barrier lowering effect; Short channel;
机译:GaAs MESFET漏极引起的势垒降低的解析二维仿真:短沟道效应
机译:面向CAD的4H-SiC MESFET的准分析大信号漏极电流模型
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机译:SiC MESFET的漏极诱导势垒降低效应的解析模型
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:Sub-10 nm结圆柱周围闸门MOSFET中排水辐射屏障的香料模型