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公开/公告号CN112838084A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南大学;
申请/专利号CN202110006704.X
发明设计人 王俊;梁世维;邓雯娟;王雨薇;张倩;
申请日2021-01-05
分类号H01L27/06(20060101);H01L27/07(20060101);H01L21/82(20060101);
代理机构36142 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈龙
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-12
授权
发明专利权授予
机译: 集成式Gaas Mesfet逆变器结构静态功耗最小
机译: 一种制造包括在支撑基板上的复合结构的复合结构,所述复合结构包括薄单晶SiC层
机译: 粘结结构系统,优选用于轻质容器壁和集成结构以及高强度和刚度的粘结系统,减轻了联管的重量,该联结在这些结构或面之一中包含固定柱。一种空心圆柱体,与至少一种封闭装置集成在一起。
机译:用于高温SiC集成电路的功率MESFET的单片集成
机译:大功率SiC-MESFET器件的立方和六方碳化硅中亚皮秒瞬态电子传输的集成蒙特卡洛分析
机译:一种新颖的双凹4H-SiC MESFET,利用散射电场实现高功率和RF应用
机译:VJFET技术与MESFET制造的兼容性及其对系统集成的兴趣:6H和4H-SiC 110 V横向MESFET的制造
机译:集成结构过程模型:一种包含性的非材料特定方法,用于确定结构建筑信息模型所需的任务和信息交换。
机译:一种新的粘滑纳米定位阶段其集成了基于挠性铰链的摩擦力调节结构
机译:VJFET技术与MESFET制造的兼容性及其对系统集成的兴趣:为6H和4H-SIC 110 V外侧MESFET制作
机译:aCE LINK - 一种集成命令与控制模型体系结构的方法