机译:InGaP / InGaAs双三角掺杂沟道异质结构场效应晶体管的研究
机译:InGaP / InGaAs双掺杂沟道异质结构场效应晶体管(DDCHFET)的研究
机译:栅极长度和势垒厚度对基于InP / InGaAs的双栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管(DG MOS-HFET)性能的影响
机译:GaInP / InGaAs线性渐变肖特基势垒双通道异质结构场效应晶体管(GDCHFET)的研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:MOCVD制备的高性能InGaAs / GaAs掺杂沟道异质结构场效应晶体管(HFET)
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征