机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:65纳米以下技术节点的等离子体掺杂和激光退火技术形成超浅结
机译:通过等离子体掺杂(PD)和长脉冲全固态激光退火(ASLA)和选择性吸收调制来形成超浅p(+)/ n结
机译:等离子体掺杂形成浅结的模拟
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:使用与改性等离子体辅助掺杂方法集成的脉冲激光退火工艺实现了共形和超浅结形成
机译:浅层结合的外延金属化与重掺杂新方法